Ni掺杂ZnO薄膜的荧光特性.pdfVIP

第26卷，第11期 20O a11d NoVember，2006 6年11月 SpectroscopySpectralAmlySis Ni掺杂Zno薄膜的荧光特性 刘晓雪，程文娟，马学鸣，石旺舟+ 华东师范大学物理系，上海200062 摘要采用脉冲激光沉积技术(PLD)在单晶si衬底上制备了Ni掺杂的Zrl0薄膜，通过V趾认INCarr m左右2个荧光峰。通过Ni掺杂，研 Eclips500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性。观察到360和380 究了360m左右荧光峰的起源。结果表明，随着靶材中Ni掺杂量的不同，荧光峰峰位不变，而相应的发光 强度发生了明显的变化。当靶材中Ni：zno的摩尔比Xs为5％时，样品中360眦紫外荧光峰的发光强度 最佳，表明360nrn左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果，有可能是起源于分裂的价带与 导带间的复合跃迁。 主题词zn0薄膜；掺杂效应；荧光特性 中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1000—0593(2006)11—2069一03 zn0=墨(摩尔比)的不同配比进行混合烧结而成。靶材的直 引 言 径约为3cm，厚度为o．4cm左右。实验中使用KrF准分子 激光器(A一248IlIll，￡。=25ns)，制备时选用的激光器频率为 10 000 zn0是一种性能优异的直接带隙氧化物半导体材料，具 Hz，电压为28V。所选用的衬底是单晶Si(100)。沉 65 96啪，c—o．520 有六角纤锌矿结构，晶格常数口一o．324 积过程中，衬底与靶材之间的距离大约为5．ocm，真空室的 eV，具有高的激子结合能(60 啪，在室温下禁带宽度为3．37 Pa。所有样品均 本底真空为5．o×101Pa，氧气压强为5．o meV)，使得zn0成为一种具有很大应用潜力的短波光电子 rIlin，样品的膜厚约500 是在室温下制备的，沉积时间为40 材料[1’2]。近年来，人们对ZnO薄膜的发光特性进行了较为 啪左右。 深入的研究[争引，已经观察到380m左右的紫外荧光峰， 2 520和420 K口，A—o．154 m附近等与薄膜本征缺陷有关的荧光峰，也曾在 仪(Cu zn0薄膜中观察到356姗左右的紫外荧光峰，并把该荧光 stand的原子力显微 hagillg公司的型号为PicosPMⅡF1ip 峰归结于杂质能级深入到导带的结果[6．10]。在本文中，我们镜进行分析。薄膜的磁性能是在南京大学仪器厂制造的HH一 15型振动样品磁强计上测量的。在室温下，采用VARAIN 在室温条件下采用脉冲激光沉积技术在Si(1