第十四章 静电场的导体和介质.pptVIP

1、平行板电容器 2、球形电容器 3、圆柱形电容器 现在我们取一任意闭合面 s，则 通过整个闭合面s的通量应等于因极化而穿过此面的束缚电荷总量。根据电荷守恒定律，这等于s面内净余的极化电荷的负值，即 这公式表达了极化强度 与极化电荷分布的一个普遍关系。 对于均匀介质，可以证明其极化电荷体密度恒为零。即均匀电介质的内部无极化电荷，因此极化电荷只能分布在均匀电介质的表面或两种电介质的界面上。从物理方面考虑，若把闭合面取在电介质体内，前面的束缚电荷移出时，后面还有束博电荷补充进来，若介质均匀，移出和补充的量相等，其体内不会出现净余的束缚电荷。对于非均匀电介质，体内是可能有极化电荷的。下面我们只考虑均匀电介质的情形。 3、极化电荷面密度与极化强度的关系 + + + + + + + + + + 电介质 电介质 在电介质的表面上，θ为锐角的地方将出现一层正极化电荷，θ为钝角的地方则出现一层负极化电荷，表面电荷层的厚度是 ，故面元ds上的极化电荷为: 从而极化电荷面密度为: 相对介电系数 介质中 的电场 自由电 荷的电场 极化电荷的电 场(束缚电荷) 真空中: 介质的介电系数 电介质极化时出现极化电荷，这些极化电荷和自由电荷一样，在周围空间（无论介质内部或外部）产生附加的电场 。根据场强叠加原理，在有电介质存在时，空间任意一点的场强 是外电场 和 的矢量和： 实验证明 ——电极化率， 介质之属性，与 无关 4、电介质中的电场 三、有介质时的高斯定理、电位移D 高斯定理是建立在库仑定律的基础上的，在有电介质存在时，它也成立。只不过计算总电场的电通量时，应计及高斯面内所包含的自由电荷q0和极化电荷q/ 矢量点函数D叫做电位移矢量。 (有介质存在时的高斯定理) 通过任意闭合曲面的电位移通量等于该闭合曲面内包围的自由电荷的代数和----电介质中的高斯定理. 说明在各向同性的电介质中电位移等于场强的ε倍，如果是各向异性电介质，如石英晶体，则 与 ， 与 的方向一般并不相同，电极化系数 也不能只用数值表示，则 失去了它的意义，但 仍旧适用。 第三节 电容 电容器 孤立导体是指附近无其它带电体或导体，认为地球离它很远。 一、孤立导体的电容 实验和理论发现，一个孤立导体带的电量q 和其电势V 的比值只与导体的形状和大小有关， 结论： 定义C为孤立导体的电容. 孤立导体电容的物理意义:使导体升高单位电势所需要的电量. 电容表征了导体储存电荷的能力， 例 求真空中孤立导体球的电容(如图) 设球带电为 解： 导体球电势 导体球电容 介质 几何 问题 欲得到 的电容 孤立导体球的半径 由孤立导体球电容公式知 C 仅与导体的几何因素有关，与导体是否带电无关。 地球半径： R=6.4?106m 二、电容器 一个导体B包围成一空腔,另一导体A被绝缘地固定在该空腔之中,这时当导体A带一定电量,导体B的内表面必定带等量异号的电量,由于导体B的屏蔽作用,导体A和B之间的电势差将仅与导体A的电量成正比,与导体B周围的其他导体无关,这种特殊的导体组称为电容器,组成电容器的两个导体分别称为电容器的两个极板. 定义：把两个靠的很近的，带等量异号电荷的导体所组成的系 统，叫做电容器 如图：带电qA的导体旁若有其它导体E、F 则： E、F上的感应电荷影响UA 如何消除其它导体的影响？ 静电屏蔽 VB=0 VA–VB=VAB 不受E、F的影响 孤立导体作为提供电容的器件是没有实际意义的，一 是电容太小，二是受周围存在的介质、电荷及导体影响 【定义】：电容器的电容 【注】： q 为电容器任一极板带电量的绝对值； ΔV 为两极间电势差的绝对值。 【电容器的分类】： 按可调分类：可调电容器、微调电容器、 双连电容器、固定电容器 按介质分类：空气电容器、云母电容器、 陶瓷电容器、 纸质电容器、 电解电容器 按体积分类：大型电容器、小型电容器、微型电容器 按形状分类：平板电容器、圆柱形电容器、球形电容器 ② 板间电场： ③ 板间电势差： ④ 电容： d 很小, S 很大 , ① 设电容器两极板 带电± q； 解： 平板电容器的电容与极板的面积成正比，与极板之间的距离成反比，还与电介质的性质有关。 +q –q 两个大小相同、互相平行、靠得很近的金属板组成的就是平行板电容