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2015-08-31 发布于湖北
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PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究.pdf

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PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究.pdf

第38卷第10期哈尔滨工业大学学报 V01．38No．10 20O6年10月 Oct．2006 OFHARBININSTITUTEOFTECHNOLOGY JOURNAL PLD方法制备Zno薄膜的特征温度研究王兆阳1，胡礼中1，赵杰1，孙捷2，王志俊1 2．中国科学院半导体研究所，北京100083) 1 摘要：用PLD方法在si(11)衬底上制备了zn0薄膜．在薄膜的沉积过程中，用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测．结合薄膜的x射线衍射(xRD)分析和荧光光谱(PL)分析，发现达到或者超过650。c时生长的薄膜，结构和光学特性得到了显著的改善．关键词：zn0薄膜；反射高能电子衍射仪；xRD曲线；荧光光谱 304．2 中图分类号：TN 文献标识码：A 文章编号：0367—6234(2006)10一1766一03 Theresearchofcharacteristic of teInperature fhbricating ZnOfilmson 1 PLD Si(11)substratesby WANG Zhao．yan91，HU11．zhon91，ZHAOJiel，SUNJie2，WANGZhi．junl forMaterialsModi矗cation (1．State IJaser，Ion，Electronbeams，DaliaIl KeyLaboratory by University ofTechnolog)r，Dalian ofsemiconductor， Liaoning Chinese of AcademyScience，Beijing100083，China) thin 1 PLD Abstract：Zn0nlmswere on method． the Si(11)substmtesby During deposited films insitu at650℃in with were RHEEDinstmment xRD and invest培atedby Vacuum．Combininganalysis PL weconcludedthatthestmcturaland chamcteristicswere whenthe analysis， optical improvedevidently films weIe ator than650℃．