PAAPU合金制备多孔PI薄膜及结构与性能研究.pdfVIP

Vol. 27 高 等 学 校 化 学 学报 No. 1 2 0 0 6 年1 月 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES 178 ~ 181 PAA/ PU 合金制备多孔PI 薄膜 及结构与性能研究 刘久贵，姜立忠，战佳宇，武德珍，金日光 （北京化工大学可控化学反应科学与技术基础教育部重点实验室，北京 100029 ） 摘要 以! ，!-二甲基乙酰胺（DMAc ）为溶剂，在聚氨酯（PU ）溶液中使均苯四酸二酐（PMDA ）与4 ，4 -二氨基 二苯醚（4 ，4 -ODA ）缩聚成聚酰亚胺（PI ）预聚体 聚酰胺酸（PAA ），从而制成PAA/ PU 的混合溶液，然后 刮涂成膜，经过热处理使得PAA 亚胺化和PU 降解，制备多孔PI 薄膜. 通过对薄膜进行红外光谱、热失重分 析及透射电镜（TEM ）观察，结果表明，最佳的PU 热降解温度为360 C ，PU 降解后在PI 基体中留下长条状 纳米孔，且孔径大小随聚氨酯含量的增加而增大. 通过对薄膜进行力学性能、介电性能和吸水率研究，结果 表明，随着体系中PU 用量的增加，热处理后的多孔PI 薄膜的介电常数逐渐下降，但拉伸强度降低，吸水率 上升. 关键词 聚酰亚胺；聚氨酯；多孔；介电常数 中图分类号 O631；TO323. 7 文献标识码 A 文章编号 0251-0790 （2006 ）01-0178-04 聚酰亚胺（PI ）是主链中含有酰亚胺基团的芳杂环聚合物总称，其耐热性、介电性能、力学性能和 ［1 ~ 4 ］ 光学性能优异，在微电子工业中得到了广泛的应用，成为电子元件连接和保护的新材料 . 然而随 着超大规模集成电路的尺寸逐渐减小，金属互连的电阻、电容（ ）延迟以近二次方增加，导致信号传 c 输延迟和串扰，直接影响器件性能. 为了降低信号传输延迟和串扰及介电损失而导致功耗的增加，满 足信号传递的高速化，进一步提高电子线路的功能，要求 ［5 ］ PI 的介电常数更低 . 通常PI 的介电常数 在3. 0 ~ 3. 4 ，远远不能满足亚微米器件所需要的介电常数值. ［6 ，7 ］ 为了降低PI 的介电常数，人们做了大量的工作，如在PI 主链上引入含氟基团 以及引入低介 ［8 ］ 电常数的嵌段或脂肪链 ，但这些方法仅能将介电常数降低到2. 6 ，而且含氟PI 价格昂贵. 近年来报 ［9 ］ ［10 ］ ［11］ PS ，PAAc 和PU 等）与PI 共聚或接枝，在PI 基体中形成热不稳定的分 道了以热不稳定聚合物（ 散相，然后使热不稳定聚合物分解为低分子量产物逸出基体，从而在基体中留下微孔（空气的介电常 数约为1. 0 ），制备成低介电常数的PI 纳米泡沫材料. 本文以均苯四甲酸二酐（PMDA ）、4 ，4 -二氨基二苯醚（4 ，4 -ODA ）为聚