RF反应溅射法制备NiFeAl2O3Co磁性隧道结研究.pdfVIP

!!! 塑 丝 盟 盟 !!坚生塑型!苎!耋 张万里，彭斌，唐晓莉，蒋洪川，张怀武 (电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054) 摘要：采用RF反应溅射法制备了室温下TMR值 2实验过程 逮6．5％的NjFe，A120，／co磁性隧道结．样品制备采用 一系列的掩模，A】：03层的制备采用RF反应溅射并 x 原位热氧化方法，隧道结的面积为0．2mm02mm。 样品的^矿特性曲线说明了样品中隧道效应的存在， 利用xPs分析了样品界面特一J生及样品成分随膜厚的 本文制备过程中，采用如图1所示掩模。 变化。 关键词：磁性隧道结；RF反应溅射；隧道磁电阻 54 中国分类号：0482 文献标识码：A 文章编号：10叭-9731(2004)增刊．0772．03 l 引 言 田田图 虽然早在1975年，JulliereⅢ就在F“Ge／Fe的磁(a)NiFe层掩模(b)A1203层掩模(c)co层掩模 性隧道结中发现r隧道磁电阻(n】nnelin叠m矩neto 囹l制备隧道结用掩模 resistaIlce，TMR)效应，但是直到近年来，随着薄膜 l Masksfor MTJ Fig f曲ricating 制各技术的进一步提高，Mooder0”、Mivaza“列等才 首先使用图1(a)所示掩模，将基片安装在旋转 制箍出了在室温下具有高TMR值的磁性隧道结，从 样品架上，溅射前背景真空度为100Pa，然后利用 而又引起了世界备国研究者的广泛关注。且由于隧道 磁电阻多层膜材料可望布高灵敏传感器、磁随机存储 片换图l(b)所示掩模，用99999％的纯Al靶，采 器(MRAM)、全金属晶体管等领域得到广泛应用n 各国研究者纷纷开展了纳米磁性隧道结的隧道磁电 Ar气与氧气流量比为2：1，溅射功率50w，溅射后， 阻效应研究。 基奉的M”结构为两层铁磁薄膜被一绝缘层分 后换用图l(c)所示掩模，利用Dc磁控溅射制备 隔开而形成的三明治结构。绝缘层材料多为AI：O】， ～般厚度在1～2nIn。在MTJ的制各过程中，A1203 ×0．2mm。 层的制备是获得TMR效应的关键步骤。常见Al：0； 采用如图2所示的四探针测试方法，施加一平行 制各方法有等离子体氧化‘5，“、自然氧化n”、橡位氧 于薄膜表面的磁场，然后利用一纳安级恒流源向样品 化【9】等方法，但却未见用纯Al靶采用RF反应溅射法 输入电流，接着用一纳伏级高精度电压表测试样品电 制各A1203并制各隧道结的报道。本文首次利用RF 压，从而测试了样品祚室温下的厶r特性曲线和磁阻 反应溅射制备了NiFe／A1203／Co磁性隧道结，测试结 MR曲线。利用xPs分析技术分析了所制各样品的成 果表明，利用RF反应溅射法也可制备高质量的MTJ 分随膜层厚度变化关系。 材料。 收稿日期：2003-ll一26通讯作者：张万里 作者简介：张万里(1966一)，男，重庆铜粱人．硕士，副教授，长期从事纳米磁性村料与器件研究