RGO的制备及其对PMMA/RGO复合材料介电性能的影响.pdfVIP

RGO的制备及其对PMMA/RGO复合材料介电性能的影响.pdf

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RGO的制备及其对PMMA/RGO复合材料介电性能的影响.pdf

第 42 卷,第 7 期 工 程 塑 料 应 用 Vol.42 ,No.7 11 2014 年 7 月 ENGINEERING PLASTICS APPLICATION Jul. 2014 doi:10.3969/j.issn.1001-3539.2014.07.003 RGO 的制备及其对PMMA/RGO 复合材料介电性能的影响 曾小鹏,张丽珍,袁文霞 ( 北京科技大学化学与生物工程学院,北京 100083) 摘要:以氧化还原法为基础制备了两种非改性的还原氧化石墨烯(RGO) :水合肼还原制备的RGO (RGO–N ) 和水合肼还原后真空退火制备的RGO (RGO–V ),之后以这两种RGO 和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA )为原料通过 简单溶液复合法制备了PMMA /RGO 复合材料。通过透射电子显微镜、原子力显微镜和X 射线光电子能谱对两种 RGO 的形貌和结构进行了表征。结果表明,这两种RGO 都为单层或少数几层的片状结构,其中RGO–V 的导电性 高于RGO–N ,且其厚度低于RGO–N 。通过扫描电子显微镜对PMMA /RGO 复合材料的断面形貌进行了表征,发 现RGO 能均匀地分散在PMMA 中并且与PMMA 有明显的界面相互作用。进一步研究了不同RGO 含量下制备的 PMMA /RGO 复合材料介电性能的变化。结果表明,两种RGO 均能提高复合材料的介电常数;且随着RGO 含量的 增加,复合材料的介电常数明显增大,而介电损耗变化不大。在室温及1 000 Hz 下,当RGO–V 体积分数为2.75% 时, PMMA /RGO–V 复合材料的介电常数为20.5 ,是纯PMMA 的的5 倍,是相同RGO 含量下PMMA /RGO–N 复合材 料的2.5 倍,而介电损耗仅为0.80。 关键词:石墨烯;聚甲基丙烯酸甲酯;复合材料;介电性能 中图分类号:TB332 文献标识码:A 文章编号:1001-3539(2014)07-0011-05 Preparation of Reduced Graphene Oxide and Its Effectiveness to Dielectric Properties of PMMA Zeng Xiaopeng , Zhang Lizhen , Yuan Wenxia (School of Chemistry and Biological Engineering ,University of Science and Technology Beijing , Beijing 100083 , China) Abstract :Two kinds of non-modified reduced graphene oxide (RGO) based on oxidation-reduction method:RGO–N only reduced by hydrazine hydrate and RGO–V reduced by hydrazine hydrate plus annealing in vacuum. Then poly(methyl methacrylate) (PMMA) /RGO composites were fabricated with a simple solution blending methods by using this two kinds of RGO and PMMA. The morphologies and structures of the two kinds of RGO were characterized by TEM ,AFM and X

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