Si基Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的制备与特性研究.pdfVIP

第55卷第6期2006年6月 VoI 物理学报 55，No6，June，2006 1000—329012006155(06)13152．05ACTAPHYSICASINICA @2006 Chin．Phys．Soc． 王 华+ 任鸣放 (桂林电子科技大学信息材料科学与工程系，桂林541(104) (2005年9月28日收到；2005年11月1713收到修改稿) 电性能的影响．500％退火处理的Bi…h㈣Ti…0薄膜未能充分晶化，晶粒细小且有非晶团聚，介电与铁电性能均较 差．高于550。C退火处理的瓯。；‰，，Ti…O薄膜表面平整无裂纹，晶粒均匀，无焦碌石相或其他杂相，薄膜为多晶生 }圭，具有较好的介电与铁电性能，4V电压下的漏电流密度低于2×10≈A／cm2随退火温度升高．晶化程度的提升和 晶粒尺寸的增大使薄膜的剩余极化增大而矫顽电场降低600。C退火处理的凰。垴…TiO。：薄膜显示r优于 Bi。Ti～O薄膜的铁电性能，其剩余极化P，和矫顽电场E。分别达到175”c，cm2和102kV／cm． 关键词：铁电薄膜，BiⅢ‰，5Ti3012，Sol—Gel工艺 PACC：8140．7780．8115I 升仍不能满足器件应用的要求． 非挥发性铁电存储器已成为新型存储器件的重 h，，Ti…O铁电薄膜生长行为、铁电性能的影响规律 要发展方向，其应用领域与市场份额正随着应用研 探索瓯。h…TiO．：铁电薄膜的低温制备工艺． 究的深入而逐步扩大和增长“…．由于具有潜在的良 好铁电性能和优秀的耐疲劳特性，Bi层状钙钛矿结 2．实验方法 构铁电薄膜已成为非挥发性铁电存储器的热门候选 材料”。“．Bi层状钙钛矿结构铁电材料由(Bi。0。)2+ 单元和类钙钛矿的(A。B。O。．)2。单元交错构成， 晶片，切成1em×lcm的小片，按半导体标准工艺进 其中n=2—5，A位一般由Ba“，ca2+，s，+，蚪+以 行清洗 及其他稀L元素占据，而曰位则通常为尺寸更小的 阳离了如Ti4+，Ta“，№5+和Ⅵ，+等占有．在既层状 acid)、 钙钛矿结构铁电薄膜中，SrBi，T∞O。(sBT)和 乙酰丙酮按化学计量比进行称量，其中Bi有3％一 Bi。Ti，O．。(BIT)被研究得最为广泛．虽然SBT具有优 5％的过量以弥补退火过程中Bi的挥发(在实验巾 异的耐疲劳特惟，但其铁电性能却与应用需求还有 用不同的Bi配比，发现Bi过量高于5％时薄膜中易 较大差距，而且其成膜温度较高，1i利于器件应 产生Bi，()，项，而Bj过量低于3％则不能有效弥补 用”5．Ⅱ轴取向BIT薄膜的极化高达45”C／cnf左 Bi的挥发)，然后进行溶胶配制，获得耽。‰。一 右，但易于沿c轴取向生长，导致其极化显著F Ti，O．，前体溶液． 降”．近年来的一些研究表明71l，b掺杂能改善 BIT薄膜的铁电性能，