Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响.pdfVIP

下载本文档

4
0
约1.66万字
约 6页
2015-09-02 发布于湖北
举报
版权申诉

Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响.pdf

1、本文档共6页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

Ti-Si-N纳米复相薄膜及Si含量对脉冲直流PCVD镀膜质量的影响.pdf

第39卷第10期 No·10 金属学玫Vol·39 Oct．2003 ACTAMETALLURGICASINICA PP·1047一1050 2003年10月1047一1050页 Ti—si—N纳米复相薄膜及si含量对脉冲直流 PCVD镀膜质量的影响马大衍王昕马胜利徐可为 (西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，西安710049) 摘要用工业型脉冲直流等离子体增强化学气相沉积(PCVD)设备，在高速钢(W18Cr4V)表面沉积Ti—si—N三元薄膜，研究了不同N2流量对薄膜组织及性能的影响．结果表明：随N2流量增大，膜层沉积速率及膜层中Si含量减少，薄膜组织鹣于致密，膜层颗粒尺寸明显减小，划痕法临界载荷和显微硬度显著增加，硬度最高可达50GPa以上．研究发现，对应N2流分析认为，低N2或高Si效果不佳的原因在于直流PCVD是以工件为阴极，膜层中过多的Si3N4和Si将严重劣化阴极的电导性，致使膜层疏松，说明脉冲直流PCVD与射频PCVD存在很大的区别．关键词PCVD，Ti—Si—N，相组成，临界载荷中图法分类号TGl74．44，0484文献标识码A 文章编号0412-1961(2003)10-1047-04 NANoCoMPoSITETi-Si-NFILMSANDEFFECToFSi DC C CoNTENTSoNPULSEDPCVDoATINGS QUALITY MA Kewei Dayan，肌ⅣGj＆佗。MAShengli，XU State forMechanicalBehaviorof 710049 Key Materials，Xi’anUniversity,Xi’an Laboratory Jiaotong Correspondent：XU N包tionalTechnicalResearchand China Supportedby High DevelopmentProgrammeof Nationa?NaturafScienceFoundationChina No．200lAA3380Jo)and of and (Nos．5993101050971053) received2002—11—20．inrevisedform2003—03—10 Manuscript ABSTRACTanindustrial of DC chemical theTi— Using typeset—uppulsedplasma vapordeposition Si—N on effectof flowonmicrostructure coatinghighspeedsteel(W18Cr4V)wasperformed．TheN2 andinterfacial was resultsshowthatthe rateand bondingstrengthinvestigated．The