TiO2种子层对Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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TiO2种子层对Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响.pdf

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TiO2种子层对Bi3.15Nd0.85Ti3O12铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响.pdf

第22卷第6期无机材料学报 V01．22．No．6 2007年11月 Journalof Materials Nov，2007 Inorganic 文章编号：1000-3243((2007)06一1192—05 Ti02种子层对Bi315Ndo85Ti3012铁电薄膜的结晶取向和铁电性能的影响李佳，于军，彭刚，王耘波，周文利 (华中科技大学电子科学-b技术系，武汉430074) 摘要z用sol gel法分别制备丁直接沉积在Pt／Ti／Si02／Si衬底上和加入了Ti02种子层的Bi316Nd0．85Ti3012 积的BNT薄膜和具有Ti02种子层的BNT薄膜的剩余极化只值分别为26和43 6#C／era2，矫顽场强B分别为9l和805kV／cm；疲劳测试表明两种薄膜均具有良好的抗疲劳特性，TiO。种子层的引入并没有降低BNT 薄膜的疲劳特性；两种薄膜的慵电流密度均在1016～10-5A／cm2之间．关键词：sol—gel；Bia1sNdosgTi3012；铁电薄膜；Ti02种子层中圉分类号；TM223文献标识码t A Effectof on OrientationandFerroelectric Ti02 SeedingLayerCrystalline of ThinFilms PropertiesBi3．15Nd0．85Ti3012 LI Wen—Li Jia，YUJun，PEN(]Gang，WANGYun—Bo，ZHOU ofElectronicScienceand of and Science (Department Technology，HuazhongUniversity 430074，China) filmswithandwithouta werefabricated Abstract：Bia15NdossTi3012(BNT)thin Ti02 seedinglayer on substrates 750。C．The methodat effectof onstructuraland Pt／Ti／Si02／Si bysol—gel seedinglayer electrical ofBNTthinfilmswas that difiractionshows the properties investigated．X—raypattern thinfilm BNT 0n substrate depositeddirectly exhibits