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7 solgel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征.pdf
第7 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol.24 No.7
2005 年7 月 ELECTRONIC COMPONENTS MATERIALS Jul. 2005
研究与试制
R D
sol-gel 纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征
闫军锋 王雪文 张志勇 赵丽丽 何崇斌
西北大学电子科学系 陕西 西安 710069
摘要:以SnCl 为原料 采用sol-gel 技术 应用间接成胶法 在玻璃片上制备了纳米晶SnO 薄膜及粉体 以其灵
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敏度 响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准 对制备工艺参数进行了优化 并用DSC-TG XRD AFM 等手
段对样品进行了表征 结果表明 水与乙醇体积比为3:1 草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1 在500 下退火的薄膜表面
平整 平均粒度在20 nm 左右 且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度 较短的响应时间和
较低的工作温度 190
关键词:电子技术 sol-gel 法 纳米晶 二氧化锡 气敏特性
中图分类号:O484.1 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 2005 07-0005-04
Preparation and Characterization of Nanocrystalline SnO Gas
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Sensitive Thin Film by Sol-gel
YAN Jun-feng, WANG Xue-wen, ZhANG Zhi-yong, ZHAO Li-li, HE Chong-bin
(Department of Electronics, Northwest University, Xi’an 710069, China)
Abstract: Fine nanocrystalline SnO2 gas sensitive thin films on the glass and powder were prepared by the indirect
technique of forming colloid of sol-gel process, in which SnCl was used as a sort of source material. In order to improve the
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gas sensitive capability of SnO2 thin film, the technique parameters of preparing were selected and the better conditions of
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