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一种适用于高低压电路单片集成的LDMOS器件.pdf

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第 卷第 期 微 电 子 学 $ ’# # J6MX’# Y # 年 月 !# +! !#$%’#($%)#* (?HX!# 一种适用于高低压电路单片集成的EFCG器件 ! ! ! + ’ + + ! ’ 陈 利 !李开航 !郭东辉 ! ! 厦门大学 物理系$福建 厦门 # 厦门大学 电子工程系$福建 厦门 # +Q ’#+, !Q ’#+, ! ! 厦门元顺微电子技术有限公司$福建 厦门 ’Q ’#+, ! ! 摘 要! 利用_AK2_@与场板结构结合的技术!设计了一种可以兼容低压 V4R8\K工艺的0($ ! ! 器件该器件的漂移区长度 !就可实现 以上的耐压!适用于高低压单片集成 8\K % # G #J 0 . 电路芯片开发基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压集成电路功能及其器件耐压要 求!介绍了该 器件的结构和设计方法采用 #工艺模拟$和 #器件模拟$ 0(8\K )-UA.) )-0)K 工具!分析优化影响0(8\K器件耐压的关键参数%最后!对实际芯片的‘R8 器件参数进行了测 试和分析 关键词! 高压器件% % %场板 0(8\K _AK2_@ ! 中图分类号! 文献标识码! 文章编号! # $ -.%’ ) +%$’’#,!##$’*$, ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! ! % F5/*(’0-(EFCGF5O*650’1C’(’.*#=*6?*= E’8 D’.#-542 / , , , $ $ $ + ’ + + ! ’

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