以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜.pdfVIP

勤 锨 财 许 2010年增刊I(41)卷 以ZnO为缓冲层制备硅基氮化镓薄膜’ 何建廷，宿元斌，杨淑连，卢恒炜 (山东理工大学电气与电子工程学院，山东淄博255049) 摘 要： 用脉冲激光沉积法(PLD)先在600℃的Zn0缓冲层大大提高了GaN的结晶质量。 Si(111)衬底上沉积ZnO薄膜，然后用磁控溅射法 2 实 验 再沉积GaN薄膜。直接沉积得到的GaN薄膜是非 晶结构，将样品在氨气氛固中在850、900、950℃下Zn0薄膜的淀积采用PLD方法进行。所用激 退火15rain得到结晶的GaN薄膜。用X射线衍射 (XRD)、傅立叶红外吸收谱(FTIR)、光致发光谱单脉冲能量208mJ，击中靶的光斑面积为0．43mm2， (PL)和扫描电子显微镜(SEM)研究了ZnO缓冲层 对GaN薄膜的结晶和形貌的影响。 关键词：ZnO缓冲层；GaN薄膜；退火；结晶 中图分类号：TN304 文献标识码：A 热衬底温度至600℃后，充入0．13Pa的高纯氧气 文章编号：1001-9731(2010)增刊I一0162-03(99．999％)，用聚焦的脉冲激光束通过成膜室的光 学窗，与靶面成45。的方向烧蚀ZnO靶，沉积时间 1 引 言 15min。待样品降至室温，取出样品。制得样品多 以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料是个。 一种十分优异的宽带隙Ⅲ一V族化合物半导体材料， 室温下禁带宽度为3．4eV，激子束缚能为磁控溅射系统溅射GaN靶，制备GaN／ZnO薄膜。 20meV[1]。由于直接带隙材料的光跃迁几率比间接溅射用靶是纯度为99．999％的GaN烧结靶。系统 带隙的高一个数量级再加上宽禁带，GaN基材料是 的背景真空度为3．2×10～Pa，工作时通高纯氩气， 分压为2Pa。溅射功率为150W，溅射时间为 制备蓝绿光发光二极管(LED)和激光二极管(LD) 等光电器件的首选材料[2]。同时由于GaN基材料90min。然后将溅射后的样品放置在石英舟中，待 具有电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能 管式石英炉温度达到设定的温度(分别为850、900 好、化学和热稳定性好等特点，也非常适合于制作高 和950℃)时，将样品送入管式炉的恒温区。先通 温、高频及大功率电子器件[3]。 5min氮气以排除炉中空气，然后通氨气15min进行 Si片作为GaN材料的衬底有许多优点，如晶体氨化，再通氮气5min排除剩余氨气，最后将样品取 质量高，尺寸大，成本低，易加工，良好的导电性、导 出待冷却后进行表征。应用X射线衍射(XRD， D／max-rB 热性和热稳定性以及便于集成等。然而，由于GaN Rigaku CuKa)、傅立叶红外吸收光谱 外延层与Si衬底之间存在巨大的晶格失配和热失 配，这将导致GaN外延层在冷却的过程中出现龟 子显微镜(HITACHIS-570)对样品进行了测试分 析。 裂，很难得到高质量的GaN材料。ZnO和GaN具 有相同的六方纤锌矿晶格结构，晶格失配率和热失 3结果与讨论 配率很低，所以ZnO可以用作GaN薄膜生长的缓 冲层[‘]。本实验首先用脉冲激光沉积法在600℃的3．1 XRD分析 Si衬底上生长得到高质量的ZnO缓冲层，再用磁控 图l所示为有缓冲层和无缓冲层、退火和未退 溅射法外延生长GaN并经退火处理，结果表明， 火以及在不同温度下退火得到的GaN薄膜的X射 -基金项目：国家自然科学基金资助项目 收到初稿日期：20lO一02—06 收到修改稿日期：20lO一