低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用.pdfVIP

光电字·嫩光 8 第18卷第9期2007年9月 Journal V01．1No．9 ofOptoelearonics·Laser Sep．2007 低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用 林 慧，蒋亚东，于军胜’，李军建，王 军，邓建芳 电子科技^学光电信息学院，电r薄膜与集成器件国家重点实验室，成都NJII610054 摘要：通过在直流磁挖溅射过程中加入微量水蒸气的方法，在低于60I：温度条件下制备了具有优良光电陛能 的透明导电ITO薄膜，并探讨r溅射功率、基板温度对1TO薄膜光电性能的影响。利用制得的111 薄膜作电 极，制作了结构为1HⅣGIPc／NPB／Alq，／H1P／MgtAg／ITO的透明有机电致发光器件 HⅥ。E1N ，结果表明． 器件的平均透过率达到46X；在驱动电压L5V的条件下，发光亮度达到了3030ed／na2。 关键词：IT 薄膜；直流谧摔溅射；透明有机电致发光器件 TOLEI s ；光电性能 0086 2007 0座机电话号码 中图分类号：0484文献标识码：A文章编号：1005 Fabricationof ITO ThinFilmandIts inTOLEDs Low-temperature Application I。INHuJ，JIANGYa Jtm-sheng‘，LI Jun，DENG dong，YU Jun-jian，WANGJiamfang Schoolof ronic of 00melecthffurmadon，State lhinSolidFilmsand KeyLaboratory IntegratedDevices．University Science 01HectmMcand of 610054，China TechnologyC[nim Chengdu AlKtmct：Indiumtinoxide ITO u[trathinfilmswithanddcctficat dir∞tcurrent highoplical pefrorfft^ncewerefabricaled by withtheassistance beh w fDc nmgnetronsputteringmethod oftinytk0vapor deposition 60℃．The dur咄lhe process effectsofthe andsubstrate onthe ofITOthin sputteringpower temperature filmswere oploelectmnicpmper【y investiga ted．Transparenl diedm TOLEDs withthestmcmre organiclight-emitting Werefahricatcxt theoblained1T06fin ilmasde吐r。dBResultsshowlhalthe lral_lsrnisskrnnfT N．EI％in byumng average visible iS45％．andtherllRyanlum1uminanee013000ed／群isachievedat15V lightrange KeyⅥ日nb：indiutrrtinoxide ITO thinfih_Ias；DCii“gnetton diods sputtenng；transparentorganiclightemitting andelectrical TOLEDs ；optieal performance 现短路的现象；另一方面，射频溅射的功率高、速度慢且住基板 1引言 不加热的情况下，所得ITO薄膜的均匀性若[1。|。邓建芳等[i1】 利用加入微量水蒸气直流磁控溅射IT 陶瓷靶的方法，在较 有机电致发光二极管 Ol，EDs 具有全彩色、结构简单、高 亮度、自发光和耐高低温等优点，成为下一代平板信息屁示器 低功率下制备了性能优良的ITO薄膜．但在溅射过程中基板 件中强有力的竞争者[卜31。根据光的出射方向和方式的不 功能薄膜的去玻璃化。因此，探讨在低温条件下制备透明110 同，OLEDs可分为底翻5发光 bottonemitting OI．E1N、厦部发光 薄膜电极的工艺条件，对丁：避免有机材料的晶化反应以及高稳 top-emitting OLEDs-4J和透明 transparent OI．E1 s TOLEDs 7s3 定性的TOLEDs的制备，具有很重要的意义。本文在低丁60 与普通的OLEDs相比，T LEDs最大的不同之处于，阴极 不再单是由金属层组成，而是在最外部采用了具有高透过率、 ℃的温度条件下，制备了具有优良光电性能的透明导电ITO 低电阻率的