低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源.pdfVIP

咿菱垫必发 doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2009．06．019 低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源 朱从义1’2，一，张耀辉1，石寅2 (1．中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，苏州江苏215123；2．中国科学院 半导体研究所，北京100083，3．中国科学院研究生院，北京100049) 摘要：设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源，该结构利用带隙基准的方法产生 了一个与温度无关的参考电平，同时为了满足高电源抑制的要求，电流源中采用了运算放大器的负 反馈环路来抑制电源到输出的增益，从而使输出电平与电源电压无关，然后通过电阻把电压转化为 电流。该电路在0．35 v的工艺下实现，芯片面积为0．03舢午。仿真和测试结果表明，该电 ttm、3．3 流源的温度系数为8．7×10“／cc，在2．6。4v的电源电压下均能正常工作，达到了系统要求。 关键词：带隙基准；温度系数；电源抑制；电流源；驱动电路 中图分类号：TN492；TN86文献标识码：A PSRRCMoSCurrentReference Low—Temperature-DriftHigh Zhu Yin2 Yaohuil，Shi Congyil2”，Zhang Nano—TechandNano—Bionics 215 (1．Suzhou Institute，CAS，Suzhou123。China；2．Institute of 100083，China；3．Graduate 100049，China) Semiconductor，CAS，Beijing University，CAS，Beijing Abstract：Acurrentreferencefor circuitsandADCswas areference driving developed．Itgenerates of circuits．InordermakePSRR OPAMPwas reference to voltageregardlesstemperaturebybandgap high，an used￡omakethe irrelevantof the wasturnedintoaDCcurrent outputvoltage powersupply．Thenvoltage by aresistor．Thecircuitis with0．35 V areaisabout0．03mm2．The designed ktm，3．3technology，thechip simulationandtestresultsshowthatthe coefficientis8．7×10～／。C．anditworkswellunder temperature 2．6to4Vpowersupply． circuit coefficients；PSR；c