八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 V01．28NO．7 2007年7月 CHINESEJOURNALOFSEMICoNDUCToRS July，2007 八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性* 路飞平 彭应全’ 宋长安 邢宏伟 李训栓 杨青森 (兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000) 摘要：用真空蒸镀方法，在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜．XRD分析表明，八羟基喹啉镉 薄膜呈多晶态，且衬底温度越高，衍射峰越强，薄膜的结晶性能逐渐变好，结晶晶粒尺度也越大．AFM研究表明，衬 底温度升高，薄膜表面形貌越均匀有序，质量变好．MM-16相调制型椭圆偏振光谱仪研究发现，衬底温度升高导致 反蒸发增强，薄膜生长速率减小，随着入射光波长的增加，薄膜的折射率和消光系数逐渐减小．随着衬底温度升高， 因薄膜晶粒尺度增大，折射率和消光系数也增大；并给出了它们的变化范围． 关键字：八羟基喹啉镉；薄膜；折射率；消光系数 PACC：7280L；7865T；8115 中图分类号：047 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2007)07．1063．06 line 1 引言 单极型电子传输材料，目前对它的研究报道比较少． 这里，我们以八羟基喹啉镉为原料，通过真空蒸镀法 有机电致发光器件(oLED)具有功耗低、高亮 制备了衬底温度不同的Cdq。薄膜，用原子力显微 度、视角宽、效率高、响应快、柔韧性好和价格低廉等 优点，在许多领域中得到了广泛应用．OLED材料膜的表面形貌和结构随衬底温度的变化特性，然后 已广泛应用于有机电致发光器件[1~7]、太阳能电用MM．16相调制型椭圆偏振光谱仪测量了不同衬 池[8~1¨、光电探测器[12~1引、薄膜晶体管[15161等诸多 底温度制备的Cdq。薄膜的折射率和消光系数，结 领域，成为国内外研究的热点，基于此，许多研究人 合X射线谱、AFM表面形貌图和紫外可见吸收光 员致力于新有机发光材料的合成研究，取得了可喜 谱，解释了折射率和消光系数随衬底温度变化的原 91． 的成就‘17～1 因． 半导体薄膜的光电特性是影响半导体器件特性 的重要因素之一，对于无机半导体，人们在理论和实 2 实验 验上做了大量的工作[20~2引，同无机半导体材料一 样，对有机半导体薄膜的光电特性研究也非常重要． 为了得到干净的载玻片，按照以下顺序清洗：去 有机半导体薄膜的光学特性是影响有机发光器件的 外量子效率的重要因素之一[2引，部分研究人员开始 关注和研究有机半导体薄膜的光学常数[27|．另外， 为了制做寿命长、稳定性好的有机电子器件，需要有 机半导体薄膜具有良好的成膜特性，基于这些因素， 研究薄膜的生长特性也是开发高性能的有机电子器 件的重要环节之一．研究发现，衬底温度也是影响有 机半导体薄膜结构和表面形貌的一个重要因 8’2 素[2 91．八羟基喹啉类金属配合物是一类非常重要 的电致发光材料物质，具有较高的玻璃化温度，本身 又具有电子传输性，可以用真空蒸镀法生成质量很 好的薄膜，一直为研究有机电致发光器件的学术界 图1八羟基喹啉镉分子结构图 Molecule of structure 和工业界所应用．八羟基喹啉镉(8．hydroxylquin．Fig．1 Cdqz *甘肃省自然科学基