利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用.pdfVIP

第27卷，第4期 光谱学与光谱分析 V01．27，No．4，pp716—719 2OO7年4月 aJld Analysis SpectmscopySpectral April，2007 利用Raman散射光谱研究铜铟镓硒薄膜表面的掺杂调节作用 刘 玮1，孙 云2，李凤岩2，何青2，李长健2，田建国“ 1．南开大学物理科学学院光子学中心，天津300071 2．天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071 摘要 主要研究了采用溅射后硒化方法制备CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳电池的吸收体材料中的表面层掺杂 调节问题。并利用Raman散射谱分析研究了样品表面层特征峰的移用，研究结果表明：CIGs薄膜表面层由 富In表面层调节为富cuGa表面层后，Raman特征峰位向高波数移动，表明薄膜表面的Ga含量随之变化， 并导致表面能带的相应改变，经计算证实了富CuCh表面层样品较之富IIl表面层样品具有更高的表面能带， 从而改善了以此材料为吸收层的太阳电池器件性能，Vk提高了74mV，填充因子上升8％，最终使器件转换 效率叩相应提高了约2％。提高了V0与FF．同时表明Ramall散射谱作为一种灵敏的表面表征手段，在研究 太阳电池吸收层表面状态时十分有力。 ． 关键词Raman谱；CIGS薄膜材料；表面能带 中图分类号：0484．1，TQ377+．1，0485文献标识码：A 之一，广泛应用于材料的微观结构和性能等研究领导，已经 引 言 取得很多重要的进展[5]。尤其在表征薄膜表面声子振动的方 面具有高灵敏而成为研究CuInSe2单晶及多晶的有力手 I一Ⅲ一Ⅵ族黄铜矿型CuInS包半导体材料属于D嵫点群， 段m]。本文采用‘R咖an散射光谱来分析和确定薄膜表面Ga ，42d空间群的四方体心晶格结构，此结构分别由两个面心 含量的变化，从而优化硒化工艺，调节薄膜表面能带。 立方晶格套构而成，一个是Ⅵ族阴离子se元素，另j个是 I，Ⅲ族Cu和In阳离子元素共同构成。其中，Ifl原子的位1实验过程 置可由Ga原子替代，形成Culnl一。GaSe2(CIGS)，并利用Ga 元素掺杂的浓度的改变调节半导体材料的禁带宽度，实现带 本实验中采用两步法制备CIGS。第一步为在心气中， 隙由1．04到1．68ev之间的改变[1]。此种材料具有的吸收采用CuGa与In靶顺序溅射制备预制层于Mo薄膜覆盖的钠 l 系数高达106，其吸收层厚度可降低到1脚左右，节约了材钙玻璃上。其中CuGa有两种：cu：Ga=l3(高Ga)，Cu。 料成本，是一种高效、稳定、低成本的直接带隙太阳能电池 Ga=2：1(低Ga)，同时有两种不同沉积顺序的预制层样品 材料，具有广阔的应用前景。 目前，由CIGs黄铜矿型薄膜材料为吸收层的太阳电池 效率已超过19％[2]。制备此材料的方法很多，主要方法有两度较薄。为方便起见，下文中分别以富In表面样品与富 种：多源共蒸发及溅射后硒化方法，其中后者更具有成本低 CuGa表面样品代替两种预制层名称。两种预制层所得成分 并利于实现大面积生跃的优点。本文中我们就采用这种方法 比例相同。第二步为在真空密闭环境中进行预制层的硒化， 制备样品。CIGs薄膜体内Ga掺杂浓度的梯度分布有利于器采用固态se丸作为Se源，硒化时间为直接升温到最终硒化 件性能优化[3]，尤其是表面G函掺杂浓度的提高对开路电压温度并保持30mi