原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
利用快速热退火法制备多晶硅薄膜.pdf
第34卷第2期 人 工 晶 体 学 报 v。1．34N。．2
兰塑主生兰旦 !Q旦曼堕垒垦Q!墨兰!卫里垦!!竺曼垦!璺!垒圣璺 ：!：：：：：：：：：：：：竺墼塞蔓兰!!!i∑：
利用快速热退火法制备多晶硅薄膜
冯团辉，卢景霄，张宇翔，郜小勇，杨仕娥，李 瑞，靳锐敏，王海燕
(郑州大学教育部材料物理重点实验室，郑州450052)
摘要：为了制备优质的多晶硅薄膜，该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术。先利用PEcVD设备沉积
非晶硅薄膜，然后把其放入快速热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用x射线衍射(xRD)仪、Raman光谱仪
及扫描电子显微镜(sEM)测试其晶体结构及表面形貌，利用电导率测试设备测试其暗电导率。研究表明退火温
度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响。
关键词：快速热退火；非晶硅薄膜；多晶硅薄膜；晶粒尺寸；暗电导率
中图分类号：0484 文献标识码：A
RTA
SiliconThinFilms
PreparingPolycrystalKne by
s拓e，
觥死on-^以，￡U知曙一石i∞，删AⅣG玩·并io昭，GA0艇no一妒愕，翰ⅣG
ⅡRMi，。，删尺以-m流，黝ⅣG^阮一归n
ofMaterial0fthe 0fEducation 450052，China)
(Lab哪tory Physics Ministry ofchina，zheng出ouuniVersity，zhengzIlou
2lO咖kr2004)
(如∞i蒯3S印细舶er2004，∞唧‘ed
of filmswas
the瑚al for o—Si：H山in
Abstract：The crystallization
r印id anneaIing(RTA)technique
siliconthinfilms．The thin6lmswere
studiedinorderto polycrystalline o—Si：H
preparehighquality
PECVDandt}lenwereannealedinRTAfumace．1’|lemicrostmcture ofthin
d印ositedby andⅡlo叩hology
fihnswere andR砌an andtheelectric wasstudied
investigatedbyXRD，SEM spectra pI．operty thIDugh
dark measurements．Theresultsshowthatthe timeandthe
tempemture，anne
文档评论（0）