制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响.pdfVIP

1024 2004 年增刊 （35 ）卷 制备工艺对PAR 电双稳薄膜电特性的影响∗ 谢亨博，蒋益明，郭 峰，万星拱，李 劲 (复旦大学 材料科学系, 上海 200433) 摘 要：采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR 研究薄膜阻态转变规律、了解薄膜阻态转变机理有着 制成Al/PAR/Al 夹层结构。详细研究了薄膜厚度、电 重要的意义。 极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的 2 实 验 影响。结果表明，采用适当的工艺，能够获得性质均 匀、电特性良好的电双稳薄膜 （转变电压的分散性小 2.1 薄膜样品制备 于 10％，延迟时间基本小于 5µs，转变时间在 20ns PAR(4-(2-pyridylazo)resorcinol) 是一种单一有机 左右）。Al/PAR/Al 结构可以简单等效为电阻与电容的 材料，分子式为C H N O ，分子结构如图 1 所示， 11 9 3 2 并联，而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定。 通常用作螯合滴定的金属离子指示剂，可采用真空蒸 关键词：PAR 薄膜；电双稳；制备工艺 发的方法将其制备成具有电双稳特性的薄膜[11] 。 中图分类号：0484.42 文献标识码：A 文章编号：1001-9731 （2004 ）-1024-04 1 引 言 N N OH [1,2] N 自从 Potember 等人 发现金属- 有机络合物 M-TCNQ （M=Ag,Cu ）具有电双稳特性以来，由于这 OH 类材料在光电开关、超高密度信息存储等方面的潜在 应用价值而被广泛研究[3~7] 。近年来，随着研究的深入， 图1 PAR 分子结构 其他新型电双稳材料也不断被发现，如有机-有机体系 Fig 1 The molecular structure of PAR TTeC1TTF-TCNQ[8] 、MC-TCNQ 和 BBDN-TCNQ[9] ； 为了进行电性能测量，我们将样品做成Al/PAR/Al 单一有机材料PAN[10]、PAR[11]和GHA[12]等。尽管新 的夹层结构：在玻璃基板上镀一狭长铝条作为公共底 材料的寻找仍在继续，但人们对电双稳材料阻态转变 电极，中间镀一层 PAR 薄膜，完全覆盖底电极，顶 机理的认识却存在着较大分歧[1,4,12] ，同时关于已有材 部再镀上细条作为顶电极，共90 个，均匀分成两列， 料阻态转变规律方面的研究也比较缺乏，这使材料向 样品示意图如图2 所示。薄膜的厚度由石英晶体振荡 器件的过渡在现阶段还存在一定困难。造成这些问题 仪监测。 的主要原因之一在于缺