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化学气相沉积法制备Ta2O5薄膜的研究进展.pdf
闫志巧 等 化学气相沉积法制备Ta O 薄膜的研究进展
Z 5 511
化学气相沉积法制备Ta O 薄膜的研究进展。
Z 5
闫志巧!熊 翔!肖 鹏!黄伯云
中南大学 粉末冶金国家重点实验室 湖南 长沙 410083
摘 要! Ta O 是重要的介电材料和光波导材料 以化学气相沉积 CVD 法为基础的工艺 CVD 法被
Z 5
从前驱体的选择方面综述了化学气相沉积法制备 认为是目前一种普遍的薄膜制备方法 具有很高的工
薄膜的研究进展!说明了五卤化钽和 金属有 业应用性 可以在大尺寸 形状复杂的工件表面制备致
Ta O Ta
Z 5
机化合物对 CVD过程的影响!对这两类前驱体的优缺 密 均匀 与基体结合良好的薄膜
点进行了比较和评述!讨论了Ta O 的生成机理!并 CVD法制备Ta O 薄膜常用的前驱体有五卤化
Z 5 Z 5
对其发展方向作了简要的展望 钽和 金属有机化合物两类 选用不同的前驱体对
Ta
关键词! 化学气相沉积 薄膜五卤化钽金 薄膜质量有很大影响 因此有必要对这方面进行深入
Ta O
Z 5
属有机化合物 细致的研究
中图分类号! 文献标识码!
TB383 A
Z CVD法制备Ta O 薄膜
文章编号! # $ Z 5
1001-9731 Z006 04-0511-04
Z.1 以五卤化钽为前驱体制备Ta O 薄膜
1 引 言 Z 5
所有五卤化钽都具有强吸水性 湿度大时很易水
Ta O 薄膜有极大的应用潜力 已经成为近些年
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