原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究.pdfVIP

第56卷第8期2007年8月 物 理 学 报 ACTA SINICA 1000．3290／2007／56(08)／4914—06 PHYSICA ⑥2007 Chin．Phys．Soc． 原位氧化Zn3 张 军1’2’ 谢二庆1’ 付玉军1’ 李 晖1’ 邵乐喜2’+ I)(兰州大学物理科学与技术学院，兰州730000) 2)(湛江师范学院物理科学与技术学院，湛江524048) (2006年11月29日收到；2007年3月5日收到修改稿) 采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜，然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜． 利用x射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术，研究了氧化温度和氧化 时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响．研究结果显示，450℃下氧化2h后的样品中除含有 oC下氧化2 ZnO外，还有Zn3N2成分，500h可以制备出电阻率为0．7ncm，空穴载流子浓度为10”cm～，空穴迁移率 为0．9cm2／Vs的具有c轴择优取向的P型ZnO薄膜．此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性，紫外可见光范围内透 过率为85％，处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强，且半高宽较窄，而处于可见光部分来自于深能级发射的 绿色发光峰很弱．这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好，有利于实现在短波长光电器件方面的应用． 关键词：P型ZnO薄膜，Zn，N：薄膜，射频溅射，原位氧化 PACC：7280E，7855，6855，8140 金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积 1．引 言 等工艺，采用NH，，N：，NO，N：0等作为掺杂源来制 ZnO是一种六方纤锌矿结构的Ⅱ一Ⅵ族宽禁带 备P型ZnO薄膜．因为这些工艺无法提供足够的活 半导体．ZnO具有优异的结构、光学和电学特性，室 性氮作为受主来补偿本征施主缺陷，所以制备出来 温禁带宽度约为3．37eV，激子束缚能高达60meV， 的p型ZnO薄膜的性能还不能达到制备发光器件 易于在室温下实现其激子发光，是制备短波长光电 的要求．文献[16，17]分别利用直流反应溅射法和化 器件的理想材料¨-5 o．另外，ZnO可以与MgO或者 学气相沉积法制备的Zn，N：薄膜作为前驱体，通过 CdO形成合金，使得其禁带宽度在2．8—4．0eV范围 热氧化法制备出P型ZnO薄膜．这些方法可以提供 内可调，在光电器件方面显示出更广阔的应用前 足够的活性氮掺杂源，但是在Zn，N，薄膜制备和氧 景M_81．实现ZnO基发光器件的首要条件是制备低 化过程中出现碳和氢的污染，样品的电阻率还是较 阻P型ZnO薄膜．然而本征ZnO薄膜为高阻材料， 高，结晶质量也不理想，不能得到c轴择优取向的P 电阻率高达1012Qcm，且在材料制备中易形成氧空 型ZnO薄膜． 位和锌间隙等缺陷，这些缺陷在ZnO带隙中引入施 本文利用射频反应溅射技术制备zn。N：薄膜， 主能级，使ZnO呈现n型导电．实现ZnO的P型掺 然后对z