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反应磁控溅射法制备nc-TiNa-Si3N4薄膜的Youngamp;#39;s模量和内耗.pdf
第39卷 第ll期 仓属学垃 Vol39 N011
2003年11月1193 ACTAMETALLURGICASINICANov1196
1196页 PP
反应磁控溅射法制备 薄膜的
nc——TiN／a-Si3N4
Young’S模量和内耗
李朝升 王先平 方前锋
(中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室，合肥230031)
S．Veprek
for of
(InstituteChemistryInorganicMaterials，TechnicalUniversity
李世直
(青岛科技大学材料与环境科学学院，青岛266042)
摘 要 利用振簧技术测量了不同遇火状态下的nc—TiN／aSiaN4超硬薄膜的Young’S模量和内耗随温度的变化关系在
280—300℃附近观察到一个弛豫内耗峰随着退二Jc温度的升高．该内耗峰逐渐减弱，而Young’s模量变化不太．750℃退火
后，该内耗峰消失．而填最却从未退业时的430SPa激增至530GPa初步认为该内耗峰来源于非稳定界面的弛】鬟过程
关键词纳米TiN／非晶Si3N4薄膜，内耗，Young’s模量，非稳定界面
中围法分类号TGll3．22，TB383文献标识码A 文章编号0412—1961(2003)11—1193—04
INTERNALFRICTIoNANDYoUNG’SMoDULUSoF
THE
FILMsPREPAREDBYREACTIVE
nc-TiN／a-Si3N4
MAGNETRoNSPUTTERINGMETHoD
LI
Zhaosheng，WANGXianping，FANGQianfeng
of of
Materials SolidState Chinese of 230031
KeyLaboratory Physics，InstitutePhysics，TheAcademySciences，Hefei
S．Veprek
Institutefor of Materials，Technical
ChemistryInorganic UniversityMunich，D一85747，Munich，Germany
LIShizhi
InstituteofMaterialsand
Environment ofScienceand 266042
Sciences，QingdaoUniversity TechnologyI
QingdaO
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rNo．In7t90l
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