晶体生长和二次再结晶.pptVIP

谢谢 * * §9-4 晶粒生长与二次再结晶 1、定义： 晶粒生长－－材料热处理时，平均晶粒连续增大的过程。 推动力：基质塑性变形所增加的能量提供了 使晶界移动和晶粒长大的足够能量。 二次再结晶－－(晶粒异常生长或晶粒不连续生长) 少数巨大晶体在细晶消耗时成核长大过程。 2、晶粒长大的几何情况： ? 晶界上有界面能作用，晶粒形成一个与肥皂泡沫相似的三维阵列； ? 边界表面能相同，界面夹角呈120度夹角，晶粒呈正六边形；实际表面能不同，晶界有一定曲率，表面张力使晶界向曲率中心移动。 ? 晶界上杂质、气泡如果不与主晶相形成液相，则阻碍晶界移动。 晶粒长大定律： t=0时，晶粒平均尺寸 讨论： (1)当晶粒生长后期(理论)：DD0 (2)实际：直线斜率为1/2～1/3， 且更接近于1/3。 原因：晶界移动时遇到杂质或 气孔而限制了晶粒的生长。 界面 通过 夹杂 物时 形状 变化 3、晶界移动 (1)移动的七种方式 1－气孔靠晶格扩散迁移 2－气孔靠表面扩散迁移 3－气孔靠气相传递 4－气孔靠晶格扩散聚合 5－气相靠晶界扩散聚合 6－单相晶界本征迁移 7－存在杂质牵制晶界移动 2 6 7 5 4 3 1 晶界的移动方向 (2)气孔位于晶界上 移动？ 阻碍？ 影响因素： 晶界曲率； 气孔直径、数量； 气孔作为空位源向晶界扩散的速度； 气孔内气体压力大小； 包裹气孔的晶粒数。 (A) Vb=0 (B) Vb = Vp (C) Vb Vp_ 晶界移动方向 气孔移动方向 Vb－晶界移动速度； Vp－气孔移动速度。 气孔通过空位传递而汇集或消失。 实现烧结体的致密化。 对于烧结体 致密化不利 初期 中、后期 后期 后期：当Vp=Vb时， A：要严格控制温度。 B：在晶界上产生少量液相， 可抑制晶粒长大。 原因：界面移动推动力降低， 扩散距离增加。 4、讨论：坯体理论密度与实际密度存在差异的原因？ 晶粒长大是否无止境？ (1) 存在因素：气孔不能完全排除。 随烧结进行，T升高，气孔逐渐缩小， 气孔内压增大，当等于2?/r时，烧结停止。 但温度继续升高，引起膨胀，对烧结不利。 采取措施： 气氛烧结、真空烧结、热压烧结等。 讨论： a、 (2) Zener理论 d－夹杂物或气孔的平均直径 f－夹杂物或气孔的体积分数 Dl－晶粒正常生长时的极限尺寸 原因：相遇几率 小。 b、 初期：f 很大，D0 Dl，所以晶粒不会长大； 中、后期： f 下降，d 增大， Dl增大。 当D0 Dl，晶粒开始均匀生长。 一般f=10%时，晶粒停止生长。这也是普通烧结 中坯体终点密度低于理论密度的原因。 二、二次再结晶 概念： 当正常晶粒生长由于气孔等阻碍而停 止时，在均匀基相中少数大晶粒在界面 能作用下向邻近小晶粒曲率中心推进， 而使大晶粒成为二次再结晶的核心，晶 粒迅速长大。 推动力：大、小晶粒表面能的不同。 二次再结晶 晶粒长大 不均匀生长 均匀生长 不符合Dl∝d/f 符合Dl∝d/f 气孔被晶粒包裹 气孔排除 界面上有应力 界面无应力 比较： 晶粒异常长大的根源： 起始颗粒大小； 控制温度(抑制晶界移动速率)； 起始粉料粒度细而均匀； 加入少量晶界移动抑制剂。 3 6 10 30 60 100 100 60 30 10 6 3 1 起始粒度 最后晶粒与起始 晶粒尺寸的比例 起始粒度不均匀； 烧结温度偏高； 烧结速率太快； 成型压力不均匀； 有局部不均匀液相。 采取措施： * 从图可以看出，大多数晶界都是弯曲的；从晶粒中心往外看，大于6条边的边界向内凹，由于凸界面界面能大于凹面，因此晶界向凸面曲率中心移动。结果小于6条边的晶粒缩小，甚至消灭，而大于六条边的晶粒长大。总的结果就是平均晶粒增长。 如图，晶界为了通过夹杂物，界面能就被降低，降低的量正比于夹杂物的横截面积，通过障