半导体激光器发展现状和趋势.pdfVIP

第 12 卷第 4 期 光 电 子 技 术 与 信 息 1999 年 8 月 材料与器件 半导体激光器发展现状与趋势 何兴仁 (重庆光电技术研究所 　重庆 　400060) 摘 　　要 　　半导体激光器占有整个激光器市场的最大份额 , 并广泛应用于各个领域。为了满足下世纪对 更高性能光源的需要 , 它正朝向宽带宽、大功率、短波长以及中远红外波长发展。量子点激光 器作为新一代高性能器件 , 正在大力开发当中。 关 键 词 　半导体激光器 , 光通信 , 光存储 息处理高速化、信息存储大容量化 , 以及武 1 　前　言 器装备高精度、小型化 , LD 借助于一系列 　　半导体激光器又称为二极管激光器 先进技术将继续高速发展。 (LD) , 是目前应用最广泛的光电子器件之 一。LD 最早大批量应用起始于 90 年代初的 2 　技术与应用现状 音响 CD 演放器。此后 , 随着生长技术的进 　　按照波长和应用领域 , LD 可大致分为 步、器件量产化能力的提高、性能的改善及 长波长和短波长。实用化短波长 LD 覆盖 成本的下降 , LD 陆续扩展到许多其它应用 635～950 nm 范围 , 以 GaAs 为衬底外延制 领域 , 包括 CDROM 驱动、激光打印、可 作而成 , 是目前市场上用量最大的器件。在 擦除光存储驱动、条码扫描、文娱表演、光 InP 衬底上制作的长波长 LD , 波长范围在 ( 纤通信 , 以及航空和军事应用 如军训模拟 950～1550 nm , 以光纤通信应用为主, 其 3 ) 装置、测距机、照明器、C I 等 。由于LD 中980 nm 和 1480 nm 大功率 LD 用作光纤 的开发始终与迅速增长的用户终端和消费市 放大器的泵浦光源[1 ,2 ] 。 场 , 尤其是与计算机、通信技术和军事应用 短波长 LD 对于不同的应用又可分成不 市场紧密结合 , 其技术和市场一直呈现高速 同种类。780 nm 器件是最早的实用化 LD , 增长趋势。LD 的关键技术外延生长技术 , 输出功率 3 mW , 用普通的 FP 结构 , 80 年 由早的 L PE 发展到普遍采用的 MBE 和 代中期用 MOCVD 实现大批量生产 , 当时 MOCVD , 外延材料也因此由体材料演变到 近 10 家日、美公司生产这种器件。用 超