MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜.pdfVIP

第 27 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 1 2006 年 1 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J an . ,2006 MOCVD 法制备磷掺杂 p 型 ZnO 薄膜 周新翠 　叶志镇 　陈福刚　徐伟中　缪 　燕 　黄靖云 　吕建国　朱丽萍 　赵炳辉 (浙江大学硅材料国家重点实验室 , 杭州 　3 10027) 摘要 : 利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p 型 ZnO 薄膜. 实验采用二乙基锌作为锌源 , 高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源. 实验表明:生长温度为 400 ～450 ℃时获得了p 型 ZnO 薄 18 - 3 Ω 2 ( 膜 ,而且在 420 ℃时 ,其电学性能最好 ,空穴浓度为 16 1 ×10 cm , 电阻率为 464 ·cm ,迁移率为 0838cm / V ·s) . 霍尔测试和低温光致发光谱证实了该 ZnO 薄膜的p 型导电特性 ,并观察到薄膜位于 3354eV 与中性受主束 缚激子相关的发射峰. 关键词 : pZnO ; 金属有机化学气相沉积 ; 磷掺杂 PACC : 6855 ; 8115 H ; 6 170 T 中图分类号 : TN 304054 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 0 1009 105 的高度重视. 1 　引言 目前 , 已经报道的制备磷掺杂 p 型 ZnO 薄膜的 方法主要是射频磁控溅射[ 13 , 14 ] ,并且都是采用退火 近年来 , 由于 ZnO 在光电领域的巨大发展潜力 作为热激活过程来实现 ZnO 薄膜的p 型转变. 不过 而受到了人们的广泛关注. 这是由于 ZnO 作为一种 ( ) 很少有关利用金属有机化学气相沉积 MOCVD 方 新型的 Ⅱ Ⅵ族化合物半导体具有许多优点 ,如室温 法来制备磷掺杂 p 型 ZnO 薄膜的报道. MOCVD 方 ( ) ( ) 禁带宽度大 337eV ,激子束缚能 60meV 和激子 法是一种很好的成膜技术 , 易于制备出高晶体质量 ( - 1 ) 增益 300cm 高 ,是实现紫外光电器件 、发光二极 的 ZnO 薄膜 ,能够实现大面积沉积 ,适合工业化生 管以及激光器最有潜力的半导体材料之一[ 1 ,2 ] . ZnO 产. 因此 ,使用 MOCVD 方法制备 p 型 ZnO 薄膜具 是一种极性半导体 , n 型掺杂容易实现 , 通常掺杂 有十分重要的意义. Al , Ga , In 等元素即可获得 电学特征理想的 n 型