快重离子辐照对非晶态SiO2薄膜光致发光谱的影响.pdfVIP

第32卷 第6期 发 光 学 报 Vo1．32 No．6 2011年 6月 CHINESE JOURNAL OF LUM INESCENCE Jun．，2011 文章编号：1000—7032(2011)06-0608-04 快重离子辐照对非晶态 SiO2薄膜光致发光谱的影响 刘纯宝 一，王志光 (1．菏泽学院物理系，山东 菏泽 274015； 2．中国科学院 近代物理研究所，甘肃 兰州 730000) 摘要：用湿氧化法在单晶硅表面生长了非晶态SiO薄膜，再用高能Ph和xe离子对薄膜进行辐照，最后用荧 光光谱分析了辐照参数(剂量 、电子能损值)与发光特性改变的相关性。研究发现，快重离子辐照能显著影响 薄膜的发光特性，进一步分析显示，辐照导致了SiO薄膜内0一si一0缺陷、缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的 产生 ，且缺氧缺陷和非桥式氧空位缺陷的数量会随Pb离子辐照剂量的增加而增多，而 0一si一0缺陷和缺氧 缺陷的形成需要