基于MoO3AgMoO3透明阳极的顶发射OLED的模拟计算与制备.pdfVIP

第36卷第4期 发 光 学 报 V01．36No．4 2015年4月 CHINESE JOURNALOFLUMINESCENCE，2015 Apr． 文章编号：1000—7032(2015)04-0459-07 基于M003／Ag／M003透明阳极的 顶发射OLED的模拟计算与制备 李源浩1’2，武聪伶1’2，杨君礼1’2，李菀丽1’2，刘慧慧1’。， 贾虎生1’¨，王 华1’2，刘旭光1’4，伍永安5 (1．太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室，山西太原030024； 2．太原理工大学新材料工程技术研究中心，山西太原030024；3．太原理工大学材料科学与T程学院，山西太原030024； 4．太原理工大学化学化工学院，山西太原030024；5．山西国光半导体照明工程研究有限公司，山西太原030006) 摘要：运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO，／Ag／MoO，透明电极的最佳厚度，采用镀膜实验验证 模拟计算的准确性，制备了一系列不同MoO，膜厚度和Ag膜厚度的透明电极。然后，制备了一系列顶发射有 二胺／三氧化钼(MoO，)／银(Ag)／三氧化钼(MoO，)，来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性。 MoO，(10nm)／Ag(10nm)／MoO，(25nm)在532nm处的透射率达到最大值88．256％，以该透明电极制备的 076 cd／m2和4．03 器件与参考器件相比，性能有了明显提高，最大亮度和最大效率分别为20 cd／A，提高了 18．5％和56％。器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO，对空穴注入能力的提升。 关键词：顶发射有机电致发光器件；模拟计算；三氧化钼；透射率 中图分类号：TN383+．1文献标识码：A DOI：10．3788／fgx0459 Calculationand of Simulation PreparationTopEmitting OLEDswith Anodeof TransparentM003／Ag／M003 LIYuan．ha01，2，WU Jun—lil2，LIWan—lil’2，LIUHui-huil，2， Cong—lin91，2，YANG JIA Hual一，LIU Hu．shen91’¨，WANG Xu．guan91…，WUYong．an5 Scienceand inAdvanced Education， (1．KeyLaboratoryofImefface Engineering Materials，Minisityof Taiyuan 030024，China； UniversityofTechnology，Taiyuan and 2．ResearchCenterAdvancedMaterialsScie