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基于EIT技术颅内电阻抗特性分析.pdf

24卷6期 中国生物医学工程学报 V01.24No.6 2005年12月 ChineseJournal Dece/ilhr2005 ofBiomedical脚imiw 基于EIT技术颅内电阻抗特性分析 徐桂芝1,2王明时1杨庆新2李颖2颜威利2 1(天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津310027) 2(河北工业大学生物医学工程系,天津300130) 摘要:电阻抗断层成像技术(EIT)是一种基于生物组织电学特性的成像技术。本研究基于Eft技术对二维四层 同心圆头模型和基于MRI图片构造的脑电二维真实头模型的电阻抗特性进行了分析,给出了头部组织电导率参数 变化对求解区域场内及头皮表面电位分布的影响,得出了有实际意义的结论,为实现颅内EIT逆问题求解和阻抗 成像及脑内电特性的深入研究奠定了基础。 关键词:电阻抗断层技术;真实头模型;脑电特性分析 TheElctrical ofRealisticHeadModelBasedonEletrical Properties Impedance Xu Li Yah Gul—Zhil一WaagMiag.ShilYangQing—Xin2Yin92 Wei.Li2 and (CollegeofPrecisionhⅫmmOpt十ElectwrdcsW—W.Tia,iinUniw=ity,“Wl衙310027) 2(DeparOmntofBionⅧlical脚r—w.HebeiUnimsity 300130) ofT∞hnologym,Fm,嘞’vm Abstract:Electrical new basedonelectrical of impedance re|a)ively tomograghy(E1T)isima舀ngmodality pmperPl humanoranimaltissues.This theelectrical offour-shellCOIICeIItl/c head paperpresented properties circularmodel and2Drealistichead reconstructedfroIlltheMRIhead modelwhichhavebeen basedODEIT This picture technique were work to thebasisof EITinverse and ofheadelectrical expected resolving provide problemreconstructingimage isof forthefuaherresearchOnelectrical ofhead. conductivity,andsignificance property words:electrical

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