MMI功分器结构参量的优化设计.pdfVIP

维普资讯 第32卷第 1期 光 子 学 报 Vo1．32No．1 2003年 1月 ACTA PHOTONICA SINICA January2003 MMI功分器结构参量的优化设计 黄耐容 王 谦 何赛灵 (1浙江大学物理系，杭州 310027) (2浙江大学现代光学仪器国家重点实验室光及电磁波研究中心，杭州 310027) 摘 要 基于精确模式传输分析方法 (MPA)，提出等效宽度的概念，在此基础上重新修正了自成 像理论 中有关多模干涉(MMI)功分器的输入(出)波导位置和干涉区长度．并且以1x4，4x4耦合 器为例，对各个结构参量进行扫描，证明修正后的耦合器结构使耦合器分光均匀性提高，附加损耗 减小，具有实际应用价值． 关键词 耦合器；功分器 ；多模干涉 中图分类号 TN253 文献标识码 A 零，入射场和出射场在输入波导和输出波导的边界 0 引言 上也为零，所有传播模式在横向边界上光强为零； 耦合器是现代光通信系统中必不可少的器件之 2)在 MMI本征模式中假设：k 《．j}。n( + = 一 ． 目前市场上大多数是熔融拉锥而成的光纤型耦 n ：)，式中k是横向波矢，JB是模式m的传播常 合器，其基本单元是 1x2耦合器．采用此种结构，若 量，k。是真空中波矢，n是 MMI的介质折射率 (在 要形成 1xN(N2)耦合器就必须级连 2 一1个基 二维等效中，对应等效折射率)．在 以上两个近似处 本单元．这样构成的耦合器不但尺寸大，而且分光性 理的基础上，可以方便的得到第 阶模式的传播常 能受到个基本单元的影响．为了适合小型化发展的 量为 趋势，应用多模波导干涉效应 (MMI)制成的 1xN， JB k0n。一(+1)-rrZo／4n。 (1) N×N耦合器就越来越引起人们的研究兴趣．它与 式中n为波导芯层折射率， 为多模区域的宽度， 定向耦合器 、、y型分支波导耦合器相比有着结构 A 为波长．成像位置近似为 简单紧凑，工艺容差大，插入损耗小、均匀性好、对偏 LMMI=3pL ／q~,-4pn。We／qAo (2) 振和波长敏感性低等优点 ¨J．此外，为了适应集成 式中 为最低两阶导模 的拍长定义为 rr／( 一 化发展的要求，达到有源器件和无源器件集成在一 JB)，P表示可能的器件长度倍数，q为成像个数，P、q 起的目标，硅材料的耦合器也是人们研究的重点．本 互质．如图1所示的NxN耦合器的输入(输出)波 文就重点研究二氧化硅材料的MMI耦合器．对MMI 导的位置为 耦合器设计常用 自成像理论 J，但是当输入 (输 rxl=(2i一1)W／