RC框架节点的弯矩_滑移转角恢复力模型.pdfVIP

瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点 姬学斌 应用工程师，世强电讯 注 本文主要介绍瑞萨电子（又称：Renesas 1)高压MOS 在客户电源等产品开发时的 选型以及特性的说明，为客户的产品开发提供参考性的设计意见。 MOSFET 以其电压控制、开关频率高、开关速度快等优点，广泛应用于电源等产 品中。Renesas高压MOS 涵盖漏源电压（V ）等级600V、800V、900V、1400V，具 DSS 有极低的RDS(ON)和丰富的封装系列，应用十分广泛。 MOSFET 最重要的两个参数是漏源电压（V ）和导通电阻R 。电流值和最 DSS DS(ON) O 大耗散功率值必须仔细观察，因为它们只有当背板温度到25 C时才能达到，切换时间 仅在满足数据说明书中所描述的特定条件下才适用。 一般来说Renesas高压MOS 数据手册主要包含以下几个部分：特性、极限值、电 气特性以及典型特性。 Renesas高压MOS 所具有的性能优势： 1、具有比较低的Qg 2、Vgs 电压±30V 3、具有比较低的导通阻抗 4、很好的防雪崩能力 Renesas MOS 采用了五代UMOS 工艺，可以把RDS(ON)做的比较小，2SK3298B 的 导通电阻只有0.75欧姆，可以大大减少MOS 的损耗。 极限值部分给出了10个参数的绝对最大值。器件运行的时候一定不能超过此值， O 否则会造成MOS 永久的损坏。其中，尤其需要注意漏极电流和耗散功率的值是在25 C 时给出的，在实际运行中只能作为参考。 电气特性部分主要含有几个重要的参数：开启关断时间参数、跨导参数、结电容参 数以及体内二极管参数等。Renesas高压MOS 一般要比同类型的其它牌子的MOS 开关 速度快，但有个很重要的先决条件就是：栅极驱动电压要在 10V 以上，因为Renesas 高压MOS 结电容参数比较大。 典型特性部分给出了很多参数的动态曲线。比较重要的参数曲线有：热阻曲线、转 移特性曲线、跨导曲线、导通电阻和漏极电流的关系曲线以及耗散功率和温度的关系曲 线等。耗散功率随着温度的升高而下降，导通电阻随着温度的升高而增大。 Renesas 高压MOS 具有比较明显的导通阻抗低、开关速度快的优点，但驱动电路 的好坏直接影响了MOS 的特性。为了达到良好的驱动波形和开关特性，使管子能够工 注2 作在比较理想的状态，现结合数据手册中的几个参数影响和典型曲线 加以分析。 1、R 随V 的变化曲线： DS(ON) GS 由图可知，当V 在小于10V的时候，R 是比较大的，特别是在小于7-8V的 GS DS(ON) 时候，RDS(ON)几乎是无穷大,管子几乎没有开启。所以我们建议驱动电压一般要在10V 以上，这样可以获得比较低的导通阻抗和减小MOS 的损耗。 2、由数据手册得到Renesas高压MOS 的C 、C 、C 是比较大的，所以为了 ISS OSS RSS 、 获得比较好的驱动波形，建议栅极驱动电阻不要太大，尽量在几十欧姆。 3、跨导参数及曲线。跨导是MOS 一个很重要的参数，反映了栅极驱动电压对漏