SOI 材料的发展历史应用现状与发展新趋势.pdfVIP

SOI 材料的发展历史、应用现状与发展新趋势（上） 陈猛 王一波 上海新傲科技有限公司 1. 前言 2006 年随着 65 纳米工艺的成熟，英特尔公司 65 纳米生产线步入大批量生产阶段。除 英特尔外，美国德州仪器、韩国三星、日本东芝等世界上重要的半导体厂商的 65 纳米生产 线也纷纷投产。45 纳米处在研发阶段，如英特尔己有两座 12 英寸厂开始试产，估计到 2010 年进入量产。集成电路发展到目前极大规模的纳米技术时代，要进一步提高芯片的集成度和 运行速度，现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限，在进一步减小集成电路的特征尺 寸方面遇到了严峻的挑战，必须在材料和工艺上有新的重大突破。目前在材料方面重点推动 的绝缘体上的硅(SOI ,Silicon-on-insulator)等，被业界公认为纳米技术时代取代现有单 晶硅材料的解决方案之一，是维持 Moore 定律走势的一大利器。图 1 为国际上 SOI 材料头号 供应商--法国 Soitec 公司给出的先进材料的发展路线图。SOI，绝缘体上应变硅(sSOI)和绝 [1] 缘体上锗(GOI)将成为纳米尺度极大规模集成电路的高端衬底材料 。 图 1.纳米技术时代的高端衬底材料发展路线图 2. SOI 材料的优点 绝缘体上的硅 SOI(silicon-on-insulator)指的是绝缘层上的硅。它是一种具有独特的 “Si/绝缘层/Si”三层结构的新型硅基半导体材料。它通过绝缘埋层（通常为 SiO2）实现 了器件和衬底的全介质隔离，在器件性能上具有以下优点： 1) 减小了寄生电容，提高了运行速度。与体硅材料相比，SOI器件的运行速度提高了 20-35%； 2) 具有更低的功耗。由于减少了寄生电容，降低了漏电，SOI 器件功耗可减小 35-70%； 3) 消除了闩锁效应； 4) 抑制了衬底的脉冲电流干扰，减少了软错误的发生； 5) 与现有硅工艺兼容，可减少 13-20%的工序。 SOI 在高性能超大规模集成电路、高速存贮设备、低功耗电路、高温传感器、军用抗辐 照器件、移动通讯系统、光电子集成器件以及 MEMS(微机电)等领域具有极其广阔的应用前 景，被国际上公认为“21 世纪的硅集成电路技术。” 3．SOI 的制备技术 SOI 材料是 SOI 技术发展的基础，SOI 技术的发展有赖于 SOI 材料的不断进步。缺乏低 成本、高质量的 SOI 材料一直是制约 SOI 技术进入大规模工业生产的首要因素。近年来，随 着 SOI 材料制备技术的成熟，制约 SOI 技术发展的材料问题正逐步被解决。SOI 材料的制备 技术归根结底包括两种,即以离子注入为代表的注氧隔离技术 (Speration-by-oxygen implantation, 即 SIMOX)和键合 (Bond)技术。 键合技术包括传统的 Bond and Etch back (BESOI)技术和法国SOITEC公司创始人之一M.Bruel提出结合氢离子注入与键合的注氢智能 剥离技术(Smart-cut),以及陈猛博士于 2005 年提出的将注氧隔离与键合相结合的 Simbond SOI 材料制备新技术。以下对各种技术的应用现状与优缺点做一些阐述。 3.1 注氧隔离技术 注氧隔离技术 (SIMOX ,Seperation by Implantation of Oxygen)。是发展最早的 SOI 圆片制备技术之一，曾经也是很有希望大规模应用的 SOI 制备技术之一。采用此技术在普通 圆片的层间注入氧离子经超过 1300℃高温退火后形成隔离层。此方法有两个关键步骤：高 温离子注入和后续超高温退火。在注入过程中，氧离子被注入圆片里，形成硅的氧化物沉淀。 然而注入对圆片造成相当大的损坏，而二氧化硅沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高温 退火能帮助修复圆片损伤区域并使二氧化硅沉淀物形成二氧化硅绝缘层，界面陡峭均匀。 法国 SOITEC 和美国 IBIS 以及 IBM,日本的 SUMC