铜铟硒太阳电池的生产和发展.pdfVIP

铜铟硒太阳电池的生产与发展 刘 世 友 1. 前 言 制 、添加镓和硫扩大禁带宽度等问题有待解决 。 20 世纪中期以来 ,新材料的不断出现 ,促进科学技 日本松下电气工业公司开发了掺镓的 C IS 系化合 术突飞猛进 ,各个工业部门高速发展 。人们把材料 、信息 物半导体薄膜新生产工艺 ,并使用该薄膜开发了光电转 ( 2 ) 的 C IS 系薄膜太阳电池 。 和能源称为人类文明的三大支柱 ,各个国家都投入大量 换效率为 153 % 面积 1cm ( ) 的人力和资金不断开发新材料 。 1995 年美国可再生能源实验室 N R EL 研制出光电转 ( ) Cu In Se 铜铟硒 简称 C IS 。这种多晶薄膜太阳电 换效率为 17 1 %的 Cu In Se 太阳电池 , 这是当前世界 2 2 池是 80 年代发展起来的。80 年代初 , 实验室研制的约 上该电池的最高效率 。C IS 系薄膜太阳电池与非晶硅太 1cm2 的 C IS 太阳电池 ,其光电转换效率约为 8 % 。在 80 阳电池相比 , 光电转换效率大幅度提高 , 暴露在 日光下 年代中期 ,一些研究所和大学对性能和特点与单晶材料 效率也不衰减 。因此 ,现在 日本除了使用硅作原料生产 不同的多晶 C IS 材料进行了深入的基础研究 。80 年代 多晶、单晶、非晶硅太阳电池以外 ,还积极研究开发新型 后期 ,C IS 电池在提高效率 、扩大面积 、降低成本等方面 C IS 系薄膜太阳电池 。 获得了显著进展 。当时 ,美国能源部负责太阳电池科技 2 生产工艺 发展计划的美国太阳研究所认为 , C IS 太阳电池的发展 目前 , C IS 薄膜的形成方法有真空蒸镀法 、Cu / In 前景广阔 , 因此决定 90 年代用于开发 C IS 和 Cd Te 两 叠层膜的硒化法 、Cu / In / Se 叠层膜的固相反应法 、丝网 种薄膜太阳电池的基金在 80 年代每年 300 万美元的基 印刷法和电沉积法等五种 ,这是当前国外资料报道的比 础上翻一番 ,并在订立开发资助合同时要求工业部门分 较多的方法 , 但是只有前两种方法比较成功 , 后三种方 担 30 %～50 %的研究开发费用 。近年来多晶 Cu In Se2 法都存在一定的问题 : 不是生成的 C IS 元素扩散受到 (C IS) 薄膜太阳电池受到人们极大的重视 , 获得了很大 阻碍 , 得不到组成均匀的 C IS 试料 , 就是找不到合适的 的进展 , 最好 的 Cd S/ C IS 太阳电池转换效率 已达 熔剂或控制粒度有困难 ,所以得不到粒度大的薄膜 。因 14 % 。美国能源部要求 C IS 太阳电池组件的光电转换 此 ,本文只介绍前两种方法 。 ( ) 效率提高到 15 % 。美国国际太阳能电力技术公司的研 1 真空蒸镀法 究人员认为 , 在不远的将来 , C IS 太阳电池的效率将提 最近美国波音公司开发了形成 C IS 薄膜的真空蒸 高到