金属薄膜磁电阻特性综合实验.pdfVIP

实验x.xx 金属薄膜磁电阻特性综合实验 1988 年，法国物理学家阿尔贝·费尔 （Albert Fert）报道了Fe/Cr 多层膜在磁场中电阻大 幅下降，并称这种效应为巨磁电阻效应 （GMR），很快利用 GMR 效应制作的计算机硬盘读 出磁头问世，使计算机硬盘存储密度得到大幅提高。因为各自独立的发现了GMR 效应，费 尔和德国科学家彼得·格林贝格尔共同荣获了2007 年诺贝尔物理学奖。本实验利用四探针方 法，可以测量各种金属薄膜的磁电阻效应，研究在磁场中金属薄膜的电阻变化、各向异性磁 电阻效应和隧道结巨磁电阻效应。 【实验目的】 1．了解薄膜材料科学和磁电子学的一些基本概念和知识。 2 ．了解各向异性磁电阻产生的原理和应用。 3 ．掌握四探针法测量薄膜磁电阻的方法和原理。 【实验仪器】 亥姆霍兹磁场线圈、四探针组件、HY1791-10S 直流磁场电源、SB118 精密直流电压电 流源、PZ158A 直流数字电压表、薄膜样品。 如图x.x-1 所示，薄膜样品所加磁场由亥姆霍兹线圈提供，磁场可从零线性增加到180Oe， 磁场灵敏度可达到0.5Oe ；样品放在线圈中心的可调样品台上，线圈可在360 度范围内绕样 品旋转；四探针组件是由具有引线的四根探针组成，这四根探针被固定在一个架子上, 相邻 两探针的间距为3 毫米，探针针尖的直径约为200 微米。 SB118 精密直流电流源是精密恒流源，它的输出电流在1A— 200mA 范围内可调，其精 度为±0.03%。PZ158A 直流数字电压表是具有6 位半字长、0.1V 电压分辨率的带单片微机 处理技术的高精度电子测量仪器，分别具有200mV、2V、20V、200V、1000V 的量程，其精 度为±0.006%。HY1791-10S 直流磁场电源的输出电流在0-10 安培，其精度为±0.1%。 1 2 3 恒流源 I V 电压表 V I 磁场电源 1－亥姆霍兹线圈 2 －四探针装置 3 接线盒 图x.x-1 磁电阻测量装置图 【实验原理】 磁电阻效应 MR 是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。表征磁电阻效应大 小的物理量为MR，其定义为： r r r0 MR 100% (x.x-1) r r0 其中 和 分别表示物质在某一不为零的磁场中和磁场为零时的电阻率。磁电阻效应 0 按磁电阻值的大小和产生机理的不同可分为：正常磁电阻效应(OMR)、各向异性磁电阻效应 (AMR)、巨磁电阻效应(GMR)和庞磁电阻效应(CMR)等。 本实验主要测量单层磁性NiFe 薄膜的各向异性磁电阻 1．各向异性磁电阻效应 在居里点以下，铁磁金属的电阻率随电流I 与磁化强度M 的相对取向而异， 称之为各向异性磁电阻效应。即 // 。各向异性磁电阻值通常定义为： AMR r /