1.3μm垂直腔面发射激光器的进展.pdfVIP

1．3哪垂赢腔面发射激光器的进展 吴惠桢，霄华平，陈意桥，齐鸣，李爱珍 信息功能材料固寥重点实验室 中霹科学院上海截系tt-与g怠挂束研究所 J：海市长宁路865号，邮编200050 gm垂直腔面 摘要，论文缘述了1．3肿l垂直腔面发射擞光嚣的研究现状，设计了适合与1．3 p．m垂直 发射漱光嚣的多层蕨反射镜，并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1．3 腔萄发射激光器有源层的lnAsP／lnGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性． 近年来，当光纤通信进入40Gbps之后，国际上加快步伐致力于发展长波长可调谐 激光器(1．31／．tm、1．55pm)为核心的动态DWDM系统的研究。可做出可调谐激光器的 器件结构有多种技术，可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)是最有前途的，它与边发 射半导体激光器相比较具有许多优点：连续可调(无跳模)，调谐范围宽，低的阈值电 流，可实现单纵模运行，发射小发散角的圆形光束，可制成商密度的二维激光器阵列，是 高速、大容量、长距离井行光通信和光计算的关键器件；VCSEL还具有低的制造成本、 祸合效率高和窄的线宽等优点。固定波长1．31p．mVCSEL激光器是可调谐垂直腔面发 射激光器的基础，同定波长1．31“m和1．55岬VCSEL是过去几年国际上发展的重点， VCSEL，这是目前报导的室温工作的1．3 E20’S通信公司己做出4 gm mW的1．3pm 2001年，美国贝 VCSEL方面，研究进展令人鼓舞， VCSEL的最佳结果。在1．55rim 尔实验室和加州大学圣巴罗分校报道了采用新型高折射率材料作为DBR反射镜，在InP mW。 VCSEL取得突破，获得室温连续模的激射，输出功率达到1．6 基上研制1．55um VCSEL的研究进展报导很少，限制该领域发展的瓶颈是 国内方面，对1．3pro、1．559m 与lnP衬底晶格常数、热膨胀系数比较接近、且具有较大折射率差异的材料的选择性较 小，对在1．3 55岬具有高反射率的分布Bmgg反射镜(DBR)和VCSEL有源层 gm、1 生长的控制精度要求高，在国内少数几个有能力在InP基上外延lIl-V半导体的实验室 ，扣，通过改善生长的控制，是有可能在该领域有所突破。本文首先计算了InGaAsPflnP 多层膜构成的分布布拉格反射镜，_【}J气态分子束外延技术，生长了作为VCSEL有源层 的发光波长在1．3 变补偿量子阱结构的结构特性和光致发光特性。 VS0 InAsP／InGaAsP应变补偿量子阱结构是由VGH气态分子柬外延(GSMBE)设 ·486· 各上生长的，Ga和ln原子通过普通的柬源炉加热蒸发来获得，砷和磷则是将砷烷和磷 460 补偿lnAs04sP0．54InGaAs043Po o／20扫描的摇摆线显示在较 层，最后是150nm的lnP覆盖层。高分辨率x一射线XRD 少的量子阱数样品中观察到了5级卫星衍射峰。测得周期为14．9rim，与设计参数相符。 DBR的反射光谱，在这里没有考虑界面散射、自由 图1是计算得到的InGaAsP／InP 载流子的吸收等因素的影响。反射镜由40对In