ZrB2-SiC晶片复合陶瓷的SPS烧结行为及其微观结构.pdfVIP

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2015-09-08 发布于安徽
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ZrB2-SiC晶片复合陶瓷的SPS烧结行为及其微观结构.pdf

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图 R32 ZrB2-SiC 晶片复合陶瓷的 SPS 烧结行为及微观结构王明福 1, 2 ，汪长安2* ，张幸红 1 (1. 哈尔滨工业大学，复合材料与结构研究所，哈尔滨，150090) (2. 清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084) 摘要：论文利用等离子体放电烧结法（SPS）制备了ZrB -15vol%SiC 晶片（SiC ）复 2 pl 合陶瓷。烧结温度 1600℃，保温时间 5 分钟，加热速率 100℃/min。研究了 SiC /ZrB pl 2 复合陶瓷的烧结致密化行为以及微观结构与力学性能。结果表明 SPS 可以有效降低 ZrB2 的烧结温度，试样晶粒尺寸变小且均匀，说明 SPS 快速烧结有效抑制了 ZrB2 晶粒的异常长大。文章还研究了晶片的定向性对复合材料性能的影响。结果表明 SiC 晶片的定向排布提高了材料的可烧结性与力学性能。关键词：ZrB ，SPS 烧结， SiC 晶片，显微结构 2 SPS sintering behavior and microstructure of ZrB -SiC platelet 2 composite ceramic Wang Mingfu1, 2，Wang Chang-an2* ，Zhang Xinghong1 (1. Harbin Institute of Technology, Center for Composite Materials,Harbin, 150001, China) (2. Tsinghua University, State Key Lab of New Ceramic and Fine Processing, Beijing,100084, China) Abstract: Zirconium diboride (ZrB ) based composite with 15vol% silicon carbide 2 platelet was prepared by Spark Plasma Sintering (SPS) at 1600oC and holding 5 minutes. The heating rate was 100 oC/min. The densification behavior during sintering and the mechanical properties,