α-Si%3aH薄膜固相晶化及其结晶度研究.pdfVIP

利于薄膜的结晶。 踟 ㈣ ^l=E¨鲁H 伽 枷 u}葛_2 ㈣ 啪 ㈣ 枷 瑚 Raman shifl(em一1) 圈3不同射频功率f样品的Raraan谱 4结论 本文以样品的Ram．an谱作为分析手段研究了不同沉积参数对多晶硅薄膜结晶状况的 影响，得出以下结论：随着温度的升高、氢稀释的增强样品逐渐由非晶硅薄膜向多晶转变， 温度的升高要考虑衬底的承受温度，氢稀释的增强要考虑沉积速率。射频功率太大太小都 不利于薄膜结晶。以上规律可以指导我们直接沉积出用于太阳电池的多晶硅薄膜，以及沉 积出二次晶化所要求的纳晶硅薄膜。 作者简介李瑞，女，1980年出生，河南西平县人，现为郑州大学物理工程学院零二级材料物理与 化学专业在读硕士研究生，主要从事硅薄膜太阳电池的学习和研究。地址：郑州大学教育部材料物理重 点实验室，邮编450052 0c_lSi：H薄膜固相晶化及结晶度的研究 冯团辉张宇翔杨仕娥陈永生王海燕陈广顺卢景霄 摘要优质的多晶硅薄膜是制备出高效多晶硅薄膜太阳电池的前提条件。该论文用传 统的固相晶化法制各多晶硅薄膜。利用Raman光谱对其结构进行分析。研究了多晶硅薄膜的 结晶度随退火温度、退火时间和升、降温速率的变化。 关键词多晶硅薄膜固相晶化结晶度 325 1引言 目前，多晶硅薄膜太阳电池是许多光伏研究单位的研究热点。如何获得优质的多晶硅 薄膜是制备出高效太阳电池的至关重要的环节。另外，多晶硅薄膜技术也广泛应用于图像 传感器和薄膜晶体管等微电子技术领域。用PECVD直接沉积的多晶硅薄膜晶粒较小、缺 陷较多。因此，人们通常选择先用PECVD沉积非晶硅薄膜，然后再通过再结晶技术生成 多晶硅薄膜。在固相晶化、激光晶化、金属诱导晶化、快速热退火等诸多晶化方法中，基 于固相晶化有设备简单、操作方便、工艺成熟、晶化工艺条件易控，以及可大面积、大批 量处理等优势，我们对固相晶化进行了研究。考虑到多晶硅薄膜的结晶度对该材料的光电 性能有很大的影响。本论文主要讨论了退火温度，退火时间和升、降温速率对多晶硅薄膜 结晶度的影响。 2试验 把厚度相同的样品分成一组，共分4组样品。第一组退火时间固定为3个小时，分别 750℃、b 800℃、c850℃、d900C、e 在a 950℃几个温度下退火。第二组退火温度为 6h、8h下退火。第四组四个样品均在900℃退火3小时，但1号、2号样品在开启炉 子之前就放入炉腔内，随炉腔缓慢升温。50分钟后炉腔温度达到900℃时，把3号、4 号样品放入急速升温。加热结束后1号、3号样品在炉腔中缓慢降温，2号、4号样品 移到氮气流中迅速降温。形成了l号慢升慢降、2号慢升快降、3号快升慢降、4号快 升快降4个升温和降温速率不同的样品。前三组样品都是采取缓慢升温、缓慢降温的 方式。 3结果及分析 3．1退火温度对晶化效果的影响 图1是不同温度下退火3个小时得到的多晶硅薄膜的Raman光谱图，图2是多晶硅 薄膜的结晶度随温度的变化。结晶度的计算是对Raman光谱进行三峰高斯拟合。拟合的 其中厶、厶、^分别代表晶相峰、非晶相峰和中间峰的积分强度。由图l、图2可知，当把 退火时间固定为3小时时，随着退火温度的升高结晶度逐渐变大，但到950℃时出现了可 逆现象，结晶度反而降低。Huang等人利用脉冲激光和喇曼光谱研究非晶硅的激光退火晶 化时，也发现了晶化过程中的可逆现象。用脉冲激光使非晶硅薄膜晶化，再用脉冲激光还 可以将晶化后的薄膜改变回非晶状态。本试验中出现的可逆现象的原因我们认为是过高的 温度对硅原子之间的规则排列有一定的破坏作用。