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双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证.pdf
第 卷第 期 半 导 体 学 报 ，
24 6 Voi .24 No .6
2003 年 月 ，
6 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS June 2003
!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!
双层多晶硅FLOTOX EEPROM 特性的
模拟和验证
l l 2
黄飞鸿 郑国祥 吴 瑞
（复旦大学材料科学系，上海 ）
l 200433
（先进半导体制造有限公司，上海 ）
2 200233
摘要：介绍了EEPROM 的电学模型，模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关
系 根据模拟结果，采用 工艺，对双层多晶硅 进行了流片， 的测试结果验证了模
. 0 .6 m CMOS FLOTOX EEPROM PCM
!
拟结果在实际工艺中的可行性. 模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础.
关键词：FLOTOX EEPROM；阈值电压；写入；隧道氧化层
EEACC：l265D
中图分类号： ； 文献标识码： 文章编号： （ ）
TN402 TN405 A 0253-4l77 2003 06-0637-06
发展. FLOTOX 结构简单，耐久性和保持特性都较为
1 引言 理想，并且与CMOS 工艺兼容，因此获得了广泛的应
用，成为EEPROM 的重要结构.
电可擦除可编程只读存储器（ ）作为非 IC 设计者围绕 EEPROM 存储器的电路模拟做
EEPROM
［ ］
挥发性半导体存储器（ ）的一种，自 年代末 了很多工作4 ~ 6 相对而言，为指导 新品开发和
NVSM 70 . IC
以来越来越引起人们的重视 它具有可字节擦除和 工艺研究而开展的器件模拟工作却少见报道. 为进
.
编程、速度快、集
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