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（ ）
年增刊 卷
６４４ ２０１１ Ⅳ ４２
（ ）
柔性聚酰亚胺 ＰＩ 衬底上ＩＴＯ薄膜的生长及其
透明导电性能影响机制研究＊
１ １ ２ １ １ １
， ， ， ， ，
赵佳明 边继明 孙景昌 张 东 梁红伟 骆英民
（ ， ；
大连理工大学物理与光电工程学院 辽宁大连
１． １１６０２４
， ）
辽宁师范大学物理与电子技术学院 辽宁大连
２． １１６０２９
： （ ） 。
摘 要 采用直流磁控溅射法在聚酰亚胺 ＰＩ 柔性 性的制约关系 虽然一些研究者已经开始了在柔性衬
（ ） ， ，
衬底上生长氧化铟锡 薄膜 采用 探针台阶 底上生长 薄膜的尝试 但薄膜的综合光电性能仍
ＩＴＯ ＸＰ ２ ＩＴＯ
－
［ ］
、 （ ）、 、 ５ 。 ， （
仪 射线衍射 霍尔测试仪 紫外 可见分光光 不理想 另外 由于 薄膜复杂的原胞结构 每
Ｘ ＸＲＤ － ＩＴＯ
。 ） （
度计等对 薄膜进行结构和光电性能表征 结果 个原胞含 个原子 和复杂的掺杂机制 氧缺位和
ＩＴＯ ８０
［ ］
４＋ ３＋ ６
） ， （
表明溅射功率和沉积气压是影响磁控溅射法生长 ＩＴＯ Ｓｎ 对 Ｉｎ 的替换 导致了对薄膜基本性质 导电
， 、 ） 。
薄膜透明导电性能的主要因素 实验系统研究了溅射 机制 能带结构等 的认识还存在很大差异
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