锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响.pdfVIP

假 第47卷 ? - 第 锗掺杂真空蒸镀基板距离对多晶硅薄膜的影响 杨 萍，王 宙，付传起 。张庆乐 (大连大学表面工程中心，辽宁 大连 116622) [摘 要]在真空蒸镀多晶硅薄膜中掺入杂质可改善膜的微结构及电特性，目前有关基板距离对所得膜层的影响 研究不多。采用真空蒸镀掺杂锗的方法制备出多晶硅薄膜；通过扫描电镜、x射线衍射仪、拉曼光谱仪等研究了基 板距离对掺锗多晶硅薄膜的组织、形貌、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明：随着基板距离的增大，薄膜的晶粒 尺寸和晶化率均呈现出先增大后减小的相似趋势；当基板距离为90mm时，晶粒尺寸显著增大，最大达到0．8 m 左右，多晶硅薄膜晶粒形貌、结构性能最好，且具有较高的结晶度，薄膜的晶化率最高可达到85．10％。 [关键词] 真空蒸镀法；多晶硅薄膜；组织；形貌；晶粒尺寸；基板距离；锗掺杂；晶化率 [中图分类号】TB34；0484．1 [文献标识码]A [文章编号]1001—1560(2014)07—0033一o3 O 前 言 1 试 验 多晶硅薄膜 由于具有较高的光电转化效率、稳定 1．1 基材前处理 的光电性能以及低成本等优势，近年来被认为是最理 衬底材料为石英玻璃片，尺寸为20mm×30mm× 想的薄膜太阳能电池材料。真空蒸镀法制备多晶硅薄 1mm。将衬底分别用丙酮、无水 乙醇、去离子水超声清 膜是先在基板上沉积一层非晶硅薄膜 ，经过晶化退火 洗 10min，氮气吹干后备用。 后得到多晶硅薄膜，该法工艺简单，纯度高，易于控制 1．2 薄膜的制备 并可在多种衬底上沉积薄膜，使用范围广。研究了真 镀膜材料为纯度 99．999％的多晶硅粉末、锗粉末 空蒸镀过程中各工艺条件对多晶硅薄膜组织和性能的 (500目)和铝粉末 (500目)，电阻蒸发源为 99．7％石 影响…，发现真空度、基板距离和基板温度等是影响薄 墨片，尺寸为80．0mm×10．0mm×1．8mm。将石英玻 膜质量的几个重要因素，但对于影响机理的探讨还不 璃基片置于PVD系统(DM．450A型真空镀膜机)中，加 够深入。 入镀膜材料 (硅粉末 0．200g和锗粉末 0．005g)；设置 多晶硅薄膜的晶粒尺寸从纳米级到毫米级都具有 不同的基板距离 (30～110mm)；当系统抽真空达到 很大的调控空间 J，通过改变掺人杂质的类型和浓度 7．5×10～Pa、烘烤基板温度达到400oC时，缓慢调节 可以控制材料的电学性能，如掺杂磷可以改善硅薄膜 加热电流至 160A，蒸镀。结束后取出并用同样方法再 的微结构及 电特性l3j，原位掺杂的锗质量分数的增加 镀一层铝膜，制备出玻璃／a—Si(Ge)／AI薄膜。 使得SiO：非晶硅薄膜结晶所需的温度逐渐降低，引入 将镀膜件置于真空退火炉中，500℃热处理 2h，通 锗可以在 a—Si／SiO：界面优先发生晶化 ，且轻掺杂 过加热使硅原子获得足够的能量重新排列，非晶硅薄 (1％左右)有利于薄膜的晶化 J。 膜大部分转变成多晶硅相 。在此过程 中，薄膜 中铝与