钛酸锶掺杂改性研究进展.pdfVIP

2014年2月 材 料 开 发 与 应 用 ·89 · 文章编号：1003．1545(2014)O1-0089-05 钛酸锶掺杂改性研究进展 常亮亮 (商洛学院 陕西省尾矿综合利用重点实验室，陕西 商洛 726000) 摘 要：钛酸锶SrTiO，(STO)具有优 良的铁电、介电性能 ，在可调谐微波器件、动态随机存储器、红外探测器阵 列等方面具有 良好的应用前景。综述了近年来 STO掺杂改性研究所取得的进展，对施主掺杂和受主掺杂进 行了较详细的评述，并对 目前STO掺杂研究的几个前沿问题进行了详细的讨论。 关键词：钛酸锶；掺杂改性 中图分类号：O614．33 文献标识码：A ResearchProgressofDopedStrontium Titanate CHANGLiang—liang (ShaanxiKeyLaboratoryofComprehensiveUtilizationofTailingsResources，ShangluoUniversity，Shangluo，726000，China) Abstract：Duetothegoodferroelectricanddielectricproperties，strontiumtitanate(STO)hasapromisingapplicationintunable microwavedevices，DRAMs，IR detectorarraysandSOon．Thispapersummarizstheeffectofdonordoingandacceptordopingin STthinfilmsreposedinmanyliteraturesrecentlyyears．SomesophisticatedproblemsinSTthinfilmsdopingarealsoattentively discussed． Keywords：STO；doping 钛酸锶SrTiO (STO)属于钙钛矿结构，具有 杂。因此，本文概述了近年来 STO的掺杂情况。 独特的介电特性和奇妙的物理特性 ¨。例如：其 电容-压敏复合功能陶瓷不但具有优 良的非欧姆 l 杂质离子在SrTiO结构中位置 性 ，而且具有可与边界层电容器相 比的高介电常 数和很小的介电损耗：在光电化学电池(PEC)的 理想 SrTiO 属于立方品系如图1．在室温下 研究中，为了克服 Si或 GaAs非氧化阳极对光电 是一种理想的ABO 型钙钛矿型复合氧化物 它 化学的不稳定性，需要在阳极上沉积一层惰性的 属于空间群 Pm3m(Oh1)，品格常数 a=厶=c： 保护层，n型半导化 STO特别适合这一用途 。 0．3905nm 。许多文献报道，SrTiO 的居里温度 因此STO在低 电压逻辑 电路和微机等的抗干扰 = 106K，当T 时，SrTiO 由立方相变为四 电路 中，具有不町替代 的应用前景 。 方相 [61SrTiO 晶体中，较大的阳离子 Srh占据立 然而，STO材料也有它的不足之处，例如用 方晶胞8个顶角的位置(A位)，配位数为 12；半径 STO制作电容器、MLC部件的绝缘电阻时，在高温 较小的阳离子 “位于品胞的体心的位置(B位)， 高电压领域中晶界垒势减弱，导致通过这些部件 配位数为6，阴离子0 位于面心 I。当杂质离子 漏电流增大 。同时，在室温下，钛酸锶是绝缘 进入 STO薄膜材料中时，杂质离子可以取代A位或 体，限制了其在半导体方面的应用。为了克服这 B位 ．如：掺杂离子的离子半径和电负性接近 s， 些缺点，研究者尝试给钛酸锶材料改性。目前， 或