CVD法制备硅基氮化镓薄膜.pdfVIP

第29卷 第 1期 发 光 学 报 Vo1．29 No．1 2008年02月 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Feb．。2008 文章编号：1000—7032(2008)01—0152-04 CVD法制备硅基氮化镓薄膜 王连红 ，梁 建 ，马淑芳 ，刘旭光 ，许并社 (1．太原理35．大学 新材料界面科学与工程省部共建教育部重点实验室，山西 太原 030024； 2．太原理工大学 材料科学与工程学院 山西 太原 030024； 3．太原理工大学 化学化工学院，山西 太原 030024) 摘要 ：利用化学气相沉积法(CVD)，分别以三氧化二镓(GaO)和氨气(NH)为镓源和氮源在硅衬底合成了 一 种由片状微晶构成的氮化镓 (GaN)薄膜，实验中没有使用缓冲层。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)、 电子能量散射谱 (EDS)、X射线衍射 (XRD)、高分辨电镜(HRTEM)和光致发光谱 (PL)对样品进行分析，生成 物为质量较好的富镓的纯氮化镓薄膜。片状氮化镓微晶表面大小约数百纳米，厚度数十纳米，薄膜表面平 整、致密，没有裂纹或龟裂现象 ，与si衬底结合紧密。氮化镓薄膜的带边峰位于367nm处，同时出现了黄光 发射峰。并对此种氮化镓薄膜的生长机理进行了探讨。 关 键 词 ：氮化镓薄膜；化学气相沉淀；生长机理 中图分类号：TN304；0482．31 PACC：3250F；7855 文献标识码：A 和 GaN有较大的晶格失配和热失配，因此会在 1 引 言 GaN薄膜中产生较多的穿越位错等缺陷，而这些 氮化镓是一种直接宽带隙(3．39eV)材料， 缺陷做为非辐射复合中心会严重限制发光内量子 具有高熔点、高临界击穿电场和高饱和漂移速度， 效率的提高，制约着高质量 的GaN外延层的生 是制作耐高温、高压和高功率光电器件的理想材 成，有些硅基GaN薄膜甚至发生龟裂而由si衬底 料 ¨J。氮化镓材料已经引起了人们很大的兴趣， 脱落。因此人们尝试在 si衬底上采用不同的缓 成为国内外研究的热点。GaN较低的热解温度、 冲层，如GaAs，A1N，ZnO等，但GaN外延层的质 较高的饱和蒸气压使大块 GaN单晶生长变得困 量强烈依赖于缓冲层的质量，缓冲层技术现在正 难 J，目前的研究主要集中在利用外延技术生长 处于发展完善中。 GaN的一维和二维材料方面。制备氮化镓薄膜 本文通过化学气相沉积法在 si(111)单晶上 的技术主要有分子束外延(MBE)、金属有机化学 生长了表面平整、致密度高并且与 si衬底结合紧 气相沉积 (MOCVD)和氢化物气相外延技术 密的GaN薄膜，并讨论了其生长机理。此方案工 (HVPE)等。其 中利用 MOCVD技术 已使氮化镓 艺简单，没有使用缓冲层。 薄膜材料进入了商品化生产，但在产品均匀性、生 2 实 验 产效率和降低成本等方面还有待深入研究。为了 获得高质量的氮化镓薄膜 ，选择与氮化镓晶格常 把硅 (111)晶片放在 乙醇 (浓度 99．7％)中 数相同或相近的衬底是必需的，然而这种衬底的 超声清洗 15min，然后放在去离子水中超声清洗 缺乏限制着这种外延方法的应用 。目前已经 15min，最后 自然晾干。配制 Ga0，的丙酮悬浊 在A12O3，6H—SiC，MgA12O，Si，GaAs，ZnO等衬底 液后用胶头滴管均匀地滴于硅片上，并自然凉干。 上成功制备出了氮化镓薄膜 』，其中由于硅单晶 把硅片放入石英舟中，并把石英舟置于石英管中 具有质量高、价格低、易于解理和制作电极等优