基于正银浆料技术的高效硅太阳电池电极制备.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（F. EVA、TPT、银铝浆等材料技术，先进设备制造 技术） 基于正银浆料技术的高效硅太阳电池电极制备基于正银浆料技术的高效硅太阳电池电极制备 基于正银浆料技术的高效硅太阳电池电极制备基于正银浆料技术的高效硅太阳电池电极制备 ，， 丁丁 骁骁 1，，2 丁丁 骁骁 （1 国家电网许继微电网公司，河南 许昌 461000 ；2 华中科技大学电子科学与技术学院，湖北 武 汉 430074 ） 通讯作者：丁骁，从事光伏发电系统和微电网系统研究。Tel E-mail：dinschau@ 摘要：摘要：工业化的晶体硅太阳电池受光面电极制备通过正银浆料技术来实现。工程实践表明：在未 摘要摘要：： 来相当长的一个时期内，规模生产中，没有任何一种金属化技术方案可以替代目前基于正银浆料的 电极制备工艺。本文以正银电极电学机理为核心，基于正银浆料微观形貌和物态分析实验，阐释了 正银浆料的各组分对电池性能的影响，提出了正银浆料印制特性、电极特性、导电特性三者相互影 响、相互制约的功能模型。论文的核心思想，是采用不同的配方工艺，将正银浆料原始集中的功能 进行拆分，然后使各种功能的效力提升至最佳状态。配方设计方案将正银浆料划分成两个大类：接 触银浆和电导银浆。实验制备了两种或三种功能性不同的正银浆料，经由二次印刷工艺，在常规生 产条件下，于硅太阳电池受光面形成高效的电极层。相比于普通工艺，多浆体系的二次印刷工艺可 将电池效率提高 0.1%～0.2% 。研究还表明，新电极制备技术在高方阻浅结硅太阳电池的应用中效 果更为显著。 关键词：关键词：硅太阳电池；正银浆料；二次印刷；短波响应；选择发射极 关键词关键词：： 1 引言引言 工艺，则在n 型硅层的表面又覆盖上一层厚度为75～ 引言引言 工业化的晶体硅太阳电池生产，无论对于单晶硅 80nm 的氮化硅减反射膜。图 1 （右）为上表面发射 电池或多晶硅电池，皆使用银厚膜浆料，通过丝网印 极微观形貌的剖面示意图。单晶硅电池的表面和多晶 刷和高温烧结工艺来制作正面电极。工程实践表明： 硅电池的表面由于制绒方法不同，微观形貌存在差 在未来相当长的一个时期内，规模生产中，没有任何 异。尽管如此，两种电池片的电学参数基本一致，电 一种金属化技术方案可以替代目前基于正银浆料的 池电极性能试验的结果也显示相同的趋势。本文主要 电极制备工艺。 以单晶硅片为主要研究材料，以保证实验结论的相互 本文以正银电极电学机理为核心，基于正银浆料 可参照性。 微观形貌和物态分析实验，阐释了正银浆料的各组分 对电池性能的影响，提出了正银浆料印制特性、电极 特性、导电特性三者相互影响、相互制约的功能模型。 论文的核心思想，是采用不同的配方工艺，将正银浆 料原始集中的功能进行拆分，然后使各种功能的效力 提升至最佳状态。 2 晶体硅太阳电池器件结构分析晶体硅太阳电池器件结构分析 图 1 晶体硅太阳电池断面SEM 图（左）和减反膜剖面示意 晶体硅太阳电池器件结构分析晶体硅太阳电池器件结构分析 晶体硅太阳电池器件结构源自其特殊的制造工 图（右） 艺：低掺杂的p 型硅片，通过制绒，扩散，沉积减反 上述 0.6µm 左右的 n 型硅层，其掺杂磷浓度，从 射膜，印制并烧渗金属电极等工艺，形成平行多