SOI光波导器件的研究进展与发展趋势.pdfVIP

第十三届全国固体薄膜学术会议（NCTSF2012 ，山东烟台，2012 年 8 月） SOI 光波导器件的研究进展与发展趋势  * 余金中 肖希 李智勇 熊 康 徐 浩 李显尧 储涛 俞育德 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家联合重点实验室 北京 100083 摘 要：本文报导我们团队在 SOI 光波导器件的最新研究进展。我们在同时兼顾电学特性和光学特性的基 础上，创新地提出矩型和 Z 字型的插趾电极结构，使载流子注入和光场两者的区域尽可能地重合，大大降低 了载流子的飘移时间和和器件的分布电容，并减少了光损耗，因而大大地提高了调制速率和缩短了开关时 间。我们同时研究了 MZI（马赫-曾德干涉）型和 MRR（微环谐振）型两大类 SOI 光调制器和光开关，成功地 研制出 44 Gpbs 的高速率 SOI MZI 和 MRR 光调制器和百 ps 量级光开关、耦合效率高达 65%的微纳光耦合 器、425Gpbs光调制器陈列、InGaAS光电二极管同SOI 光调制器的混合集成回路。 关键词: SOI, 光波导, 光开关, 光调制, 光子集成 1. 引言 SOI 是波导器件的最重要光子器件的平台，是光电子集成的最有希望的材料基础。在 SOI 上沉积薄 膜、纳米加工、设计和制造器件、测试与分析高频特性等是国内外当前的研究热点。硅基微纳波导具 有许多优点，包括高速率、低损耗、小体积、低功耗、同 CMOS 工艺兼容、能同电子器件和光子器件 集成等，在高性能超级计算机和大容量光通信系统中，SOI 光波导器件及其集成发挥重要作用，正在 成为光产业的重要支柱。 表 1 硅基光子器件的进展 Time 2008 2009 2010 2010 2011 Organization Cornell HK-UST Luxtera Intel IBM 4 X 4 Function 5 X 5 switch Transceiver Transceiver Transceiver router MRR / MRR / Ge PD/ Ge PD/ Structure 4λ-WDM 2D mesh 2D mesh 4λ-WDM 6λ-WDM bandwidth 38.5 GHz N.A. 42 Gbit/s 50 Gbit/s 100 Gbit/s Power N.A. ~ 100mW 1.09 W N.A. 270 mW 2004 年美国 Intel 公司首次报导第一个 GHz 硅基调制器以来，世界各国加速对 SOI 光波导器件的 研究，出现了年年翻新、你追我赶的竞争局面，器件指标一再提升。到 2010 年调制器的调制带宽已经 高达 50 Gbit/s 。表 1 列出了近年来硅基光子器件的进展.可以看出,2010 年 Ietel 公司研制出硅基光学收 发回路，实现了 4 波长波分复用（WDM ）。2011 年 IBM 公司研制成功 100 Gbit/s 带宽的 Ge 光电探 测器同６波长 WDM 集成在一起的硅基光学收发回路。 本文报导我们团队研究硅基光波导器件的最新进展。半导体光子学的发展趋势为高速率、低功耗、 集成化，我们将就光电集成的发展趋势作进一步的分析和讨论。 2. 光波导器件结构 我们团队从事 SOI 光波导器件十七年，在器件工作原理、器件结构设计、高频性能测试等方面进 行了大量深入的研究工作，最近在高速率方面获得重大突破，取得最新研究进展。图 1(a) 示出了