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第40卷第3期 人 工 晶 体 学 报 v01.40No_3 垫!!堡垒旦 』Q型垦堕些Q!坚!匹望垦里垦竺垦!坠堡 !坚些:垫!! 片状ZnO薄膜的制备及其在DSSC中的 光电性能研究 张林森,李素珍,王力臻,董会超,齐翔 (郑州轻工业学院材料与化学工程学院,河南省表界面科学重点实验室,郑州450002) 摘要:采用均匀沉淀法在导电玻璃基体上制备ZnO前驱体薄膜,然后热分解前驱体制备出ZnO薄膜用作染料敏化 (zn“)、zn“浓度、均匀沉淀反应温度、薄膜焙烧温度等工艺因素对ZnO在DSSC中的光电性能影响。结果表明, 均匀沉淀法制备ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,ZnO薄膜以片状在基体上生长。优化的ZnO薄膜组装的DSSC在 100 roW/era2下的短路电流为5.39mA/cm2,开路电压为0.516V。 关键词:均匀沉淀法;ZnO薄膜;DSSC;片状 中图分类号:TM914 文献标识码:A andPhotoelectricPerformanceof Synthesis SheetZnO ThinFilmsin Solar Cells Dye-Sensitized ZHANG Lin—sen,LISu-zhen,WANGLi—zhen,DONG Hui—chao,QIXiang ofMaterialandChemicM ofSurface&InterfaceScienceand Laboratory (College Engineering,Key Technology, of ZhengzhouUniversityLightIndustry,Zhengzhou450002,China) 27December 16March (Received 2010,accepted2011) Abstract:TheofZnOthinfilmwas ontheconductivesubstrates precursor deposited glass by film for method.ThenZnOthin used of solarcell homogeneousprecipitation photoanode dye—sensitized obtained thermal ofthe structureandsurface (DSSC)wasby decompositionprecursor.The morphology oftheZnOth

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