用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究.pdfVIP

41卷第6期 人 工 晶 体 学 报 v01．41No．6 呈Q!兰堡!呈旦 』Q型垦堕垒垦唑曼塑型垦旦垦垦墨!至塑垒坚——些旦望旦垒墅』丝坠 用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究 程碧胜1，雷青松1’2，徐静平1，薛俊明2 (1．华中科技大学光学与电子信息学院，武汉430074；2．河北汉盛光电科技有限公司，衡水053000) 摘要：利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF—PECVD)制备非晶硅锗薄膜，研究氢稀释率和衬底温度对薄膜 光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1．5eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上 制备出效率为6．65％的非晶硅锗(a．SiC,e：H)单结太阳能电池。 关键词：非晶硅锗；氢稀释率；衬底温度；太阳能电池 中图分类号：TK514 文献标识码：A on and ofa-SiGe：HFilmforSolarCells StudyPreparationProperties CHENG Jun—ruin92 Bi．shen91，LEIQing—son91”，XUJing-pin91，XUE and ofScienceand (1．AcademyofOpticsElectronicInformation，Hua卫hongUniversity 2．ChinaHisunPV TechnologyCo．，LtD，Hengshui053000，China) 26 (Received30 2012，accepted2012) July August on ofa—SiC．e：H of dilutionand the Abstract：Effects alloysdepositedby hydrogen temperatureproperties chemicaJ havebeenstudied．Underthe conditions plasma-enhancedvapordeposition optimum high a—SiGe：Hfilmwith of1．5eVand of6×104isobtained．With quality bandgap photosensitivity optical thismateriala6．65％conversiona—SiGe：HsolarceUsisachieved． efficiency dilution；substrate cell Keywords：a-SiGe：H；hydrogentemperature；solar 1 引 言 为中电池和底电池可以提高叠层电池在太阳光长波区域的吸收，进而提高电池效率。但锗的加入会导致a— 子覆盖不够时会导致薄膜无序度增大。 的a—SiGe：H薄膜，并在此基础上制备a—SiGe：H电池。 2 实 验