电场热处理工艺制备Li+,Sb3+掺杂TiO2光催化薄膜.pdfVIP

、bl 第36卷 增刊3 稀有金属材料与工程 36，Suppi．3 S∞tmbcr2007 2007年 9月 RAREMET^LM^TERIALSANDENGINEERING 周锋1，梁开明2 (1大连海事大学机电与材料工程学院．辽宁大连，116026) (2清华大学材料科学与工程系，北京．100084) 金红石相转变的方法．通过甲基橙水溶液的光催化降解实验表明：在400℃电场熟处理条件下的Tio：薄膜的光催化效 率高于束引入电场热处理的Ti02薄膜。 关键词：电场热处理：二氧化钍：光催化活性 17l 文献标识码：A 中图法分类号：TO 文章编号：1002·185x(2007)s3_434一03 件下水解后制备而成。准确量取一定量的钛酸四丁酯 1 引 言 溶于适量的无水乙醇中，并加入适量的乙酰丙酮 自从1972年日本学者Fuiishima和H0ndaⅢ在 min后，缓慢加入少量水，充分搅拌，形成均匀分散 Namre杂志上发表了关于用Ti02作为催化剂光分解水 的论文以来，光催化技术引起了科技工作者的极大关 的溶液。在此过程中，不断加入盐酸和醋酸的混合液， 注。目前，在光催化反应所应用的半导体催化剂中， 将溶胶的PH值控制在一定范围之内。最后分别加入 二氧化钛以其无毒、稳定性好以及抗氧化能力强等优 一定量的LiN03和sbcl]，不断搅拌2h后得到稳定的 ev)， 锂锑双掺的Ti02溶胶。 点倍受青睐。但二氧化钍的蔡带较宽(占g为3．2 能利用的太阳能仪占总太阳能的3％。为了提高对太 2 2 Tioz薄膜的制备 阳能的利用率，近年来各国学者围绕高活性纳米二氧 采用圆形的石英玻璃为基片，基片的厚度和直径 mm和1．7 化钛的制备、光催化机理及提高二氧化钛的光催化活 分别为1 cm。基片首先用乙醚超声震荡， 性等方面作了大量卓有成效的探索研究工作口)l，提出 用去离子水清洗干净，然后在60℃的干燥箱中放置l 了利用金属沉积、半导体耦合、离子修饰等手段提高 h．待基片冷却后备用。用浸渍提拉法涂膜，提拉速度 二氧化钛的光催化性能的方法‘“1。本作者在前期的工 控制为O．5mⅡ以，涂膜后在温度为80℃干燥箱内放 作中也发现了一定比例的锂锑离子双掺可以提高Tioz置4h。干燥后涂膜的玻璃片置于电炉中进行热处理， 光催化活性m】。 热处理过程在N2保护中进行。热处理温度为400℃， 电场热处理工艺是一种特殊的材料制各工艺，在 保温时间为lh，2个样品分别在无外加电场和施加外 电场和高温条件的共同作用下材料的显微结构将会产 加电场的情况下制得，设定电压为500v(经计算后 生独特的变化[9】。在本研究中，我们将在对二氧化钛 溶胶进行掺杂提高光催化活性的同时．对二氧化钛薄 试样B。 膜进行电场热处理，以达到控制二氧化钛的微观结构， 2 3物性分析测试 进一步提高二氧化钛薄膜光催化活性的目的。 2实验方法 貌。 2 1 Ti02溶胶的制备 2 4光催化性能实验