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电子束蒸发制备PbI2薄膜的光电性质研究.pdf
第30卷第5期 真空科学与技术学报
2010年9、10月 CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCEANDTEC}玎怩ILOGY 567
电子束蒸发制备Pbl2薄膜的光电性质研究
朱兴华杨定宇。 魏昭荣 李乐中 杨维清 杨 军
(成都信息工程学院光电技术学院成都610225)
andElectrical of Films
Pbl2
Optical Properties Deposited
ElectronBeam
by Evaporation
Zhu
Xinghua，YangDingyu。，Wei Jun
Zhaomng，LiLezhong，YangWeiqing，Yang
(SchoolofOptodectronic
Tedmology，c^明g如VnZw豇yof切觚n飓抽砷锄，ae碰‘610225，Ch／na)
AbstractThe filmswere electronbeam microstructuresand werechar-
Phi2 depositedby evaporation．Its properties
acterizedwith and
visible
X-mydiffraction，ultraviolethght
spectroscopy，and
ofthefilm thesubstrate betweenelectronsourceandsub·
impacts growthconditions，includingtemperature，separation
evaluated its andelectrical resultsshow some
strate，and to that
pressure，were improveoptical properties．The deposition
affect
conditions the and ofthefilms．For conditionsresult-
example．different
silgaificantlymorphologiesproperties growth
edin withdifferent orientations．Asthesubstrate increases．itstransmittancein-
hexagonalphase preferred temperature
creasesandits increasesfrom2．33eVatrooITl eVat200cc．ThePL
to2．44 and
opticalgap t
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