直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜.pdfVIP

第27卷第4期 新型炭材料 V01．27No．4 2012年8月 NEWCARBONMATERIAI，S Aug．2011 文章编号：1007—8827(2012)04-0307—04 直流热阴极PCVD法间歇生长模式制备金刚石膜 姜宏伟， 黄海亮， 贾相华， 尹龙承， 陈玉强， 彭鸿雁 (牡丹江师范学院理学院，黑龙江牡丹江157012) chernical 摘 要： 采用直流热阴极PcVD(Plasmavapordeposition)法间歇生长模式制备金刚石膜，通过加入周期 性的刻蚀阶段清除金刚石膜在一定生长期中形成的石墨和非晶碳等杂质，实现了金刚石膜生长的质量调控。间歇 式生长过程分为沉积阶段和刻蚀阶段，两个阶段交替进行。采用R锄an光谱、SEM和Ⅺ①对所制金刚石膜的品 质进行了表征，并与同样生长条件下连续生长模式制备的金刚石膜样品进行了比较。结果表明，当单个生长周期 金刚石相杂质含量低于连续间歇生长模式制备的金刚石膜。 关键词：直流热阴极；cVD；间歇生长模式；金刚石膜 o613．7l 163 文献标识码： A 中图分类号： TQ 1 前言 PcVD法间歇生长模式制备金刚石膜的研究却鲜见 报道。为了进一步提高直流热阴极PcVD法金刚 cheIIlical 直流热阴极等离子体cVD(Plasma 石膜的质量，笔者提出了直流热阴极PcVD法金刚 vapordeposition，PcVD)法制备金刚石膜具有较好 石膜问歇生长的模式∞o：形核、间歇式周期性生长。 的放电稳定性，可以通过提高放电电流、工作气压， 其中，周期性生长过程分为两个阶段，沉积阶段和刻 实现高质量、高速率制备金刚石膜¨引。但在一些直 蚀阶段。’沉积和刻蚀轮流进行，如此循环直至金刚 流热阴极PcVD生长工艺中，由于参数设置的局限 石膜达到所需要的厚度。该法的特点为在金刚石膜 性使得在连续性生长金刚石膜的过程中对非金刚石 生长的过程中设置专门的周期性刻蚀阶段，在刻蚀 相的刻蚀不够充分，以致金刚石膜中存留了较多的 过程开始时，炭源甲烷的供应被中断，使反应室中的 杂质，影响了金刚石膜的质量。 甲烷浓度将变得很低，以抑制或部分中断金刚石膜 cVD金刚石膜的杂质主要有非晶炭、石墨炭、 的生长，导致氢气的刻蚀作用占据优势，刻蚀掉金刚 氢等，其中，出现比较多的杂质是非金刚石炭相，即 石膜沉积过程中产生的杂质成分。这样，间歇沉积 非晶炭和石墨。一般来说，通过调整工艺参数可以 可从形核阶段，延伸到较长的生长阶段中。通常采 减少金刚石膜中的非金刚石炭相含量。由于cVD Pa 用金刚石膜问歇生长的工艺参数为：总