直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究.pdfVIP

第29卷，第3期 光谱学与光谱分析 V01．29，No．3，pp698—701 200 and 9年3月 SpectroscopySpectral March，2009 Analysis 直流磁控反应溅射法制备大面积AZO薄膜的实验研究 焦 飞，廖 成，韩俊峰，周 震 北京大学物理学院重离子物理研究所，北京 100871 摘要用锌铝合金靶在苏打玻璃上制备大面积AZO半导体透明薄膜，降低了靶材费用。实验中采用靶体 旋转的直流磁控溅射工艺，提高了靶材利用率，实现了大面积均匀镀膜，并能获得定向生长的薄膜。文章介 绍了采用该方法制备大面积薄膜的实验，并用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等多种分析方法对大面积薄 膜的结构、形貌、电学性能及光学性能进行分析，实验结果表明，采用合金靶做靶源，氩作工作气体，控制 mm×300 好氧气分压，大功率溅射可以获得定向性好、致密、均匀、透射率高、电阻率低的优质大面积(300 mm)AZ0薄膜。 关键词Z“)；ZnO：A1；反应溅射；大面积薄膜 中图分类号：TB43。TN304．2文献标识码：A 法，我们把他称为RCMT(rotatingcylindrical magnetron 引 言 sputteringtarget)溅射，该方法的主要优点为，(1)合金柱靶 作为靶材价格便宜，易于制造，并可以避开直接制备AZO 掺铝氧化锌AZO薄膜(ZnO：A1)是一种光学透明导电靶的所需的技术难度，同时可以减少制备靶材的高额费用。 薄膜。因其在可见光区透明和电阻率低等优异的光电性能， (2)旋转靶溅射不仅有效的提高了靶材的利用率，而且克服 而被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、热透镜、电磁屏 了溅射靶局部升温高的缺点，在制备大面积薄膜时，可以获 得均匀且定向生长良好的薄膜。非常适合大面积制备薄膜。 蔽、气敏传感器[1|、压敏电阻[2]、紫外光探测器1-引、表面波 (3)柱状靶材选用中空结构，可以使磁铁以及水冷内置，更 器件[41等诸多领域。自1907年Badeker制备出CA透明导电 薄膜以后，人们相继研制了多种透明导电薄膜，而AZO薄 为有效的冷却靶温，以获得高质量的薄膜。(4)靶内磁铁仅 膜因其原料丰富、价格低廉、材料无毒、易于掺杂和制备温 置于所需的溅射方向，柱靶在约270。的旋转方位内没有损 度低等诸多优点而被认为是最具发展潜力的透明导电薄膜之 耗，并可有效的获得水冷冷却。本文对在此基础上制备出大 一[5“]。此外氧化锌在纳米材料上也有很好的发展【7’8]。 面积的AZO薄膜，并对其结构性能、电学性能以及光学性 能进行了分析。 Az()薄膜作为太阳能电池的窗口层和电流收集层，高 透射率以及高导电率成为制备大面积Az()的基本要求。除 此之外，还必须要考虑AZO薄膜与下边硫化镉层的晶格匹 1实验部分 配问题。AZO薄膜的质量直接影响其在太阳能电池中发挥 1．1实验装置 的作用。所以，如何制备致密、均匀、透射率高、电阻率低并 图1(a)是