真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性.pdfVIP

第 卷第 期 年 月 43 2 红外与激光工程 2014 2 Vol.43 No.2 Infrared and Laser Engineering Feb.2014 真空环境下飞秒激光制备的微构造硅的吸收和退火特性 陈向前，彭 滟，方 丹，周云燕，刘姝祺，蔡 斌，朱亦鸣 (教育部光学仪器与系统工程研究中心 上海市现代光学系统重点实验室 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093) 摘 要： 在真空环境下利用飞秒激光制备的“黑硅”材料，其形貌与 SF6 气氛中制备的“黑硅”材料有着 很大的区别。 为了研究这种真空环境下制备的微构造硅的相关光学特性，通过改变入射脉冲能量研究其 峰值变化以及吸收特性， 发现当峰值达到一定高度时其对 200~2 500 nm 波段的光波有 95%左右的吸收 效率，这与 SF6 气氛中制备的微构造硅的吸收效率不相上下。 最后对两种环境下制备的“黑硅”样品进行 退火处理，发现真空环境下制备的“黑硅”材料比 SF6 气氛中制备的“黑硅”样品具有更好的耐退火性。 这 些结果对于利用真空环境下制备的微构造硅制作红外传感器具有重要意义。 关键词： 黑硅； 微构造； 吸收效率； 退火； 红外传感器 中图分类号： O436 文献标志码： A 文章编号： 1007-2276(2014)02-0398-06 Micro鄄structured silicon fabricated by femtosecond laser pulse for infrared sensor Chen Xiangqian, Peng Yan, Fang Dan, Zhou Yunyan, Liu Shuqi, Cai Bin, Zhu Yiming (Engineering Research Center of Optical Instrument and System, Ministry of Education, Shanghai Key Lab of Modern Optical System, School of Optical鄄Electrical and computer Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) Abstract: It is found that the black silicon fabricated by femtosecond laser in the vacuum is different from that fabricated in the gas atmosphere of SF6 . To study the related optical properties of this micro鄄 structured silicon fabricated in the vacuum, the changes of its peak height and absorptance were studied