硅衬底Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜的制备及其发光性能.pdfVIP

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2015-09-11 发布于湖北
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硅衬底Al_2O_3∶Tb~(3+)薄膜的制备及其发光性能.pdf

第24卷第6期无机材料学报 V01．24．No．6 Journalof Materials 2009年11月 Inorganic Nov．，2009 105-05 105 文章编号：1000—324X(2009)06-1 硅衬底A1203：Tb3+薄膜的制备及其发光性能石涛1’2，周箭1，申乾宏1，杨辉1 (1．浙江大学材料科学与工程学系，杭州310027；2．浙江林学院理学院，临安311300) 其进行了一系列表征；分析了AI：O，：Tb”薄膜的发光机理，探讨了热处理温度和1b“掺杂浓度对发光性能的影响规律．研究结果表明，采用溶胶一凝胶法制备工艺，制备了高发光强度的AI：0，：Tb”薄膜，薄膜的最佳激发波长为近；并且制备的AI：O，：Tb”薄膜表面致密、平整且无裂纹产生，表面粗糙度约为1．3nrn，有利于硅基光电子器件的制备和应用．关键词：溶胶一凝胶法；A1203：Tb”；薄膜；光致发光中图分类号：0648 文献标识码：A andPhotoluminescenceof Preparation PropertiesTb3*-doped FilmsonSiliconSubstrates A1203 SHI Huil Ta01”，ZHOUJianl，SHEN Qian—Hon91，YANG ofMaterialsScienceand of Science， (1．Department Engineering，ZhejiangUniversity，Hangzhou310027，China；2．School Forest 31 1300，China) ZhejiangUniversity，Lin’an filmsOff Tb3+- siliconsubstrateswere the method．The Abstract：Tb3+一dopedAi203 prepared by sol—gel filmswerecharacterizeddifferentialthermal dif- dopedA1203 by analysis／thermogravimetricanalysis，X—ray electron force and aswell．The fraction，scanningmicroscope，atomicmicroscopephotoluminescencespectra m